Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения с высоким ускоряющим напряжением CRESTEC CABL-UH

Эмиттер электронов/Ускоряющее напряжение

TFE (термоэлектронная эмиссия с ускорением пучка электронов под действием поля) (ZrO／W)／25～130 кВ

Минимальный диаметр электронного пучка/минимальная ширина линии

1,6 нм / 7,0 нм

Расширенные литографические функции (опционально)

Модуляционная литография по размеру поля, литография с осевой симметрией

Размер поля

30 мкм², 60 мкм², 120 мкм², 300 мкм², 600 мкм² (базовая комплектация)
1 200 мкм², 2 400 мкм² (опционально)

Количество пикселей

20 000 × 20 000 точек, 60 000 × 60 000 точек, 96 000 × 96 000 точек,
240 000 × 240 000 точек для векторного сканирования (базовая комплектация)
10 000 × 10 000 точек для растрового сканирования (опционально)

Минимальный адресный размер

Поле в 10 нм — 600 мкм²，поле в 2 нм — 120 мкм² (базовая комплектация)

Поле в 0,0012 нм — 600 мкм² (опционально)

Размер пластины

диаметр 4″, 6″, 8″ (для образцов других размеров и форм могут использоваться специальные приспособления)

Точность сшивки

50 нм (3σ) — 600 мкм², 20 нм (2σ) — 60 мкм²

Точность перекрытия

50 нм (3σ) — 600 мкм²

Программное обеспечение CAD (САПР, Системы автоматизированного проектирования)

Выделенный CAD (базовая комплектация), конвертор GDSⅡ (формат файлов баз данных) (опционально),
конвертор формата DFX (формат обмена чертежами) (опционально)

ОС

Windows