7 декабря 2020

IGaN и A-PRO совместно разрабатывают технологию производства на пластинах диаметром 200 мм силовых транзисторов на основе GaN с рабочим напряжением 650 В

Сингапурская компания IGSS GaN Pte Ltd. (IGaN), которая занимается разработкой и производством нитрида галлия на эпитаксиальных пластинах кремния/карбида кремния (GaN-на-Si/SiC) и имеет ряд запатентованных технологий изготовления структур GaN на 8-дюймовых (200 мм) пластинах для производства силовых, высокочастотных (ВЧ) микросхем и сенсоров, совместно с A-PRO Semicon Co Ltd. (дочерняя компания южнокорейской компании A-PRO Co Ltd., специализирующаяся на производстве полупроводниковых устройств на основе GaN для силовой и ВЧ-электроники) планируют совместный проект по производству силовых транзисторов на основе GaN с рабочим напряжением 650 В.

GaN постепенно выходит на рынок в качестве замены кремния для производства силовой электроники и ВЧ-устройств. Его возможности позволяют гораздо эффективнее преобразовывать энергию благодаря более широкой запрещенной зоне, поэтому GaN может выдерживать более высокие напряжения и обеспечивать высокую скорость тока. Более того, с точки зрения конструирования изделий, решения на базе GaN меньше по размеру.

http://www.igssgan.com/

http://en.aproele.com/

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/nov/igan-apro-301120.shtml