ООО «Остек-ЭТК»
Молодогвардейская ул., д. 7, стр. 4, Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru, etc@ostec-group.ru
ИНН 7731481052, КПП 773101001, ОГРН 5147746189058,
ОКПО 17183453

Забыли пароль?

E-mail
Для восстановления пароля введите E-mail, указанный при регистрации.
На ваш E-mail будет выслано письмо с дальнейшими инструкциями.
EN  RU
Группа Остек
20 июня 2016

Лазерный демонтаж: гибкость процесса и высокая производительность

Метод лазерного демонтажа основан на использовании лазерного излучения низкой плотности для отделения полупроводниковой пластины от подложки-носителя.

Данная технология позволяет осуществлять разделение без механического воздействия при комнатной температуре, обеспечивая высокую производительность. Доступность термостойких материалов в совокупности с возможностью демонтажа при комнатной температуре делает технологию идеальным решением для таких сложных процессов, как формирование компонентов с поверхностными выводами на уровне пластины и производства кристаллов с большим числом межсоединений.

Технология лазерного демонтажа является новейшим дополнением к полностью автоматизированному оборудованию серии EVG850 для временного монтажа и демонтажа пластин, т.е. данная платформа — наиболее универсальный инструмент для обработки утоненных пластин.

Преимуществами демонтажа с использованием лазерного излучения являются отсутствие механического воздействия и высокая производительность. Кроме того, могут использоваться адгезивы, обеспечивающие стойкость к высоким температурам отжига или химическим воздействиям. Эта особенность позволяет значительно повысить гибкость при демонтаже пластин по сравнению с другими методами.

Особенность адгезивных материалов — это высокая поглощающая способность излучения лазера, используемого для демонтажа. Таким образом, для обеспечения эффективного разделения подложка-носитель должна иметь высокую прозрачность, поэтому в качестве подложек-носителей используют стеклянные пластины. Процесс разделения происходит в слое адгезива всего в нескольких сотнях нанометров от поверхности, что приводит к тому, что расстояние между полупроводниковой пластиной и зоной разделения составляет несколько микрон. Это позволяет гарантировать сохранность структуры полупроводниковой пластины. В основе процесса демонтажа лежат процессы обрыва полимерных цепей в отсутствие высоких температур, что делает возможным использование данной технологии при комнатной температуре.

Основные особенности технологии лазерного демонтажа EVG:

  • Высокая производительность демонтажа с использованием надежного эксимерного лазера.
  • Отсутствие механического воздействия.
  • Возможность проведения демонтажа при комнатной температуре.
  • Отсутствие термических воздействий на полупроводниковую пластину.
  • Совместимость с широким спектром доступных на рынке адгезивов.
  • Совместимость с высоковакуумными материалами.
  • Область демонтажа, расположенная вблизи подложки-носителя, гарантирует сохранность полупроводниковой пластины.
  • Возможность повторного использования подложки-носителя.

Возможности и требования:

  • Высокая термическая стойкость до 370°С.
  • Подложка-носитель должна быть прозрачной для УФ-лазерного излучения (например, стекло, кремний не подойдет).
  • Высокая производительность.
  • Совместимость с технологией наращивания слоев, например, предварительного формирования распределительных выводных слоев.

Области применения:

  • Силовая электроника.
  • Формирование компонентов с поверхностными выводами на уровне пластины.
  • Интерпозеры (промежуточные проводящие элементы).
  • МЭМС.