15 октября 2021

Оптимизация электрохимических процессов

В начале октября в Алуште, Республика Крым, состоялось событие года в области микроэлектроники — Форум «Микроэлектроника 2021».

В ряде докладов различных секций обсуждались перспективы развития микроэлектронной отрасли в России, для чего необходимо сделать шаг в сторону более современных технологий в сравнении с используемыми сейчас.

Одна из ключевых технологий микроэлектронной отрасли — электрохимическое осаждение (ECD — electrochemical deposition). Без этой технологии невозможно создать ни одно электронное устройство.

На протяжении нескольких десятилетий простейшего ECD-реактора в виде электролитической ванны было достаточно для формирования практически любых металлических покрытий. Но технологии развиваются, и возникают новые требования к самому процессу и к качеству покрытия (его плотности и однородности). С появлением процессов производства микроэлектронных изделий, использующих глубокие или сквозные отверстия, технологи на полупроводниковом производстве оказались в тупике, так как ни одна электролитическая ванна даже с функцией покачивания пластин, перемешивания электролита и «умными» источниками питания не могла обеспечить заполнение таких отверстий. Еще одной проблемой для технологов стало требование по равномерности покрытия на больших поверхностях (на пластинах 200 и 300 мм), что тоже оказалось невыполнимо в простой электролитической ванне.

Решением стал современный ECD-реактор, обработка в котором ведется по одной пластине, причем с ее вращением. Именно такая конструкция позволила добиться необходимой однородности покрытия по большой площади и даже в отверстиях с аспектным соотношением 1:10 и диаметром 20 мкм.

Компания «Остек-ЭК» при содействии технологического партнера RENA Technologies (Германия) в своем докладе об оптимизации электрохимических процессов представила возможности современной ECD-системы последнего поколения.

Современная ECD-установка обеспечивает:

  • «Правильное» распределение плотности тока по пластине.
  • Создание «идеального» диффузионного (приповерхностного) слоя.
  • Неравномерность покрытия ˂ 3 %.
  • Увеличение выхода годных на 15-20 % по сравнению с обычной ECD-ванной.
  • Заполнение отверстий с аспектным соотношением 1:10 в серийном производстве и до 1:20 в R&D.
  • Возможность освоения новых технологий.
  • Возможность усовершенствования имеющихся технологий.
  • Существенная экономия химических реагентов.

Более подробную информацию о технологических возможностях системы ECD последнего поколения можно получить у специалистов компании «Остек-ЭК» по e-mail: ostec.micro@gmail.com или по телефону: +7 (495) 788-44-44.