Эмиттер электронов
|
TFE (ZrO/W)
|
Ускоряющее напряжение
|
5 — 50 кВ
|
Минимальный диаметр электронного пучка
|
2 нм
|
Минимальная ширина линии
|
10 нм гарантированно, 8 нм доступно
|
Ток электронного пучка
|
5 пА-100 нА
|
Стабильность тока электронного пучка
|
±1 %/5 ч
|
Стабильность положения электронного пучка
|
±30 нм/5 ч
|
Метод сканирования
|
Векторное сканирование (x, y), векторное сканирование (r, 0) (базовая комплектация),
растровое сканирование, сканирование пятна (опционально)
|
Расширенные литографические функции
|
Литография модуляции размера поля, литография рисунка с осевой симметрией, литография цифрового пятна ЦАП ОЗУ (опционально)
|
Размер поля
|
30 мкм, 60 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 600 мкм (базовая комплектация)
1 200 мкм, 2 400 мкм (опционально)
|
Количество пикселей
|
20 000×20 000 точек, 60 000×60 000 точек для векторного сканирования (базовая комплектация)
240 000×240 000 точек для векторного сканирования (опционально)
10 000×10 000 точек для растрового сканирования (опционально)
|
Минимальный адресный размер
|
Поле от 10 нм до 600 мкм, поле от 2 нм до 120 мкм (базовая комплектация)
Поле от 0,0012 нм до 500 мкм (опционально)
|
Частота/разрешение разверстки
|
Векторное сканирование (аналоговое): 0,05 — 300 мкс/0,01 мкс
Векторное сканирование (цифровое): 0,2 — 300 мкс/0,1 мкс
Растровое сканирование: 0,3 — 300 мкс/0,1 мкс
|
Размер пластины
|
Диаметр 4″, 6″, 8″ (для образцов других размеров и форм могут использоваться специальные приспособления)
|
Точность сшивки
|
От 50 нм (Среднее + 3 мк) до 500 мкм, от 35 нм (Среднее + 3 мк) до 100 мкм, от 20 нм (Среднее + 2 мк) до 50 мкм
|
Точность послойного совмещения
|
От 50 нм (Среднее + 3 мк) до 500 мкм, от 35 нм (Среднее + 3 мк) до 100 мкм, от 20 нм (Среднее + 2 мк) до 50 мкм
|
Программное обеспечение CAD
|
Выделенный CAD (базовая комплектация)
Конвертация GDS II, конвертация DXF (опционально)
|
ОС
|
Windows2000, XP
|