Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CRESTEC CABL-9000C серии

Эмиттер электронов

TFE (ZrO/W)

Ускоряющее напряжение

5 — 50 кВ

Минимальный диаметр электронного пучка

2 нм

Минимальная ширина линии

10 нм гарантированно, 8 нм доступно

Ток электронного пучка

5 пА-100 нА

Стабильность тока электронного пучка

±1 %/5 ч

Стабильность положения электронного пучка

±30 нм/5 ч

Метод сканирования

Векторное сканирование (x, y), векторное сканирование (r, 0) (базовая комплектация),

растровое сканирование, сканирование пятна (опционально)

Расширенные литографические функции

Литография модуляции размера поля, литография рисунка с осевой симметрией, литография цифрового пятна ЦАП ОЗУ (опционально)

Размер поля

30 мкм, 60 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 600 мкм (базовая комплектация)

1 200 мкм, 2 400 мкм (опционально)

Количество пикселей

20 000×20 000 точек, 60 000×60 000 точек для векторного сканирования (базовая комплектация)

240 000×240 000 точек для векторного сканирования (опционально)

10 000×10 000 точек для растрового сканирования (опционально)

Минимальный адресный размер

Поле от 10 нм до 600 мкм, поле от 2 нм до 120 мкм (базовая комплектация)

Поле от 0,0012 нм до 500 мкм (опционально)

Частота/разрешение разверстки

Векторное сканирование (аналоговое): 0,05 — 300 мкс/0,01 мкс

Векторное сканирование (цифровое): 0,2 — 300 мкс/0,1 мкс

Растровое сканирование: 0,3 — 300 мкс/0,1 мкс

Размер пластины

Диаметр 4″, 6″, 8″ (для образцов других размеров и форм могут использоваться специальные приспособления)

Точность сшивки

От 50 нм (Среднее + 3 мк) до 500 мкм, от 35 нм (Среднее + 3 мк) до 100 мкм, от 20 нм (Среднее + 2 мк) до 50 мкм

Точность послойного совмещения

От 50 нм (Среднее + 3 мк) до 500 мкм, от 35 нм (Среднее + 3 мк) до 100 мкм, от 20 нм (Среднее + 2 мк) до 50 мкм

Программное обеспечение CAD

Выделенный CAD (базовая комплектация)

Конвертация GDS II, конвертация DXF (опционально)

ОС

Windows2000, XP