ФОТОНИКА

№

Тип изделия

Описание и ключевые характеристики

Основные применения

1

DFB-лазерный диод

Особенность: Встроенная дифракционная решетка вдоль всей активной области для одночастотной генерации.
Характеристики: Узкая спектральная линия (<2 МГц), стабильная длина волны, высокая мощность (до 90 мВт). Есть версии с прямой модуляцией до 12-18 ГГц для высокоскоростной передачи данных.

Телекоммуникации и высокоскоростные ВОЛС (CWDM, DWDM), радиофотонные системы, спектроскопия (TDLAS), волоконные лазеры (в качестве задающего генератора).

2

DBR-лазерный диод

Особенность: Дифракционная решетка вынесена в пассивную область, что позволяет перестраивать длину волны.
Характеристики: Широкий диапазон перестройки (до 8 нм), высокая мощность (до 50 мВт), малая ширина линии (около 3 МГц), малая скорость перестройки (~10 мс).

Спектроскопия высокого разрешения, малошумящая накачка и нелинейное преобразование частоты, оптоволоконные датчики и лазерное зондирование, оптическая метрология.

3

FP-лазерный диод

Особенность: Простейшая конструкция с резонатором Фабри-Перо, отсутствие внутренней решетки.
Характеристики: Многочастотный, широкая спектральная линия (несколько нм), высокая выходная мощность (до 300-500 мВт).

Оптические измерения и тестирование, локальные сети связи (WDM) на короткие расстояния, в качестве мощного источника излучения для систем иллюминации.

4

Лазерный диод накачки

Особенность: Оптимизирован для высокой выходной мощности для накачки активных сред (например, волоконных или твердотельных лазеров). Часто используются чипы с широкой полосой излучения (~0,2-1 нм).
Характеристики: Мощность до 600 мВт и более, стабилизация длины волны с помощью волоконной брэгговской решетки (FBG), высокая надежность.

Накачка волоконных лазеров и усилителей (EDFA), накачка сверхбыстрых лазеров, лазерные проекторы и медицинские системы.