Фильтр
PEP1600 — установка для получения кремниевых слитков диаметром до Ø300 мм. Нижняя камера размером Ø1600 мм позволяет использовать тепловой узел до Ø42″.
IP400-SiC — установка для выращивания слитков SiC диаметром до 8 дюймов методом PVT с индукционным нагревом. Обеспечивает условия для выращивания высокоомного и низкоомного карбида кремния высокого качества.
KP900 — специализированное оборудование для выращивания слитков сапфира методом Киропулоса.
CP1400 — установка выращивания полупроводниковых слитков. Позволяет получать бездислокационные части кремния высокого качества для производства пластин микроэлектронного уровня.
CP1300K — установка, одна из первых в мире оптимизированная для выращивания
CPC1400 – оборудование для непрерывного выращивания слитков кремния и других материалов. Метод CCz – усовершенствованная версия классического метода Чохральского, позволяет выращивать слитки с высокой однородностью удельного сопротивления вдоль длины и более точным контролем параметров.
CPGe760 — установка выращивания слитков германия. Позволяет получать бездислокационные части высокого качества для производства германиевых пластин и оптических элементов.
GFZ2500 — установка для выращивания полупроводниковых слитков методом бестигельной зонной плавки (Floating Zone method, FZ). Применяется для проведения исследовательских работ, а также для производства и рафинирования кремниевых слитков ради получения монокристаллических изделий высокого качества, в том числе уровня силовых полупроводников.