Описание решения и конечных устройств
Гибридная интегральная схема (ГИС) — это миниатюрный электронный модуль, который объединяет бескорпусные полупроводниковые компоненты (чипы, кристаллы), пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) и проводники, смонтированные на общей изоляционной подложке (как правило, из керамики, стекла или ситалла).
В отличие от монолитных полупроводниковых микросхем (где все элементы создаются внутри одного кристалла кремния) в ГИС компоненты производят по разным технологиям, а затем собирают на одной плате. Пассивные элементы (резисторы, конденсаторы) часто наносят непосредственно на подложку методами тонкопленочной или толстопленочной технологии.
Гибридные схемы занимают нишу между дискретными компонентами и сложными монолитными чипами и применяются в авиационной и космической технике, оборонной промышленности, медицинской технике, телекоммуникациях и силовой электронике.
Внешний вид конечных устройств

* «Применение технологии поверхностного монтажа в производстве гибридно-интегральных модулей СВЧ» https://www.mwsystems.ru/publications.html/id/15
«Производство гибридных микросборок НЧ-, ВЧ- и СВЧ-диапазона» https://www.irz.ru/technology/proizvodstvo-gibridnyh-mikrosborok-nch-vch-i-svch-diapazona-chastnogo-...
Примеры конечных изделий
|
Категория
|
Примеры конечных изделий
|
Ключевое применение и особенности
|
|
Прецизионная электроника
|
Эталонные источники напряжения и тока, высокоточные операционные усилители, высокоточные АЦП/ЦАП
|
Требуется исключительная точность и стабильность параметров.
Лазерная подгонка резисторов позволяет достичь точности в доли процента
|
|
Силовая электроника
|
Модули управления силовыми ключами, автомобильные регуляторы и датчики, аудиоусилители мощности
|
Высокая рассеиваемая мощность, отличная теплопроводность керамической подложки и устойчивость к вибрациям
|
|
Высокочастотная (СВЧ) техника
|
Усилители мощности, СВЧ-смесители, аттенюаторы, коммутаторы для радаров и связи
|
Низкие паразитные параметры и отличные высокочастотные характеристики благодаря керамической подложке.
ГИС экономически эффективнее монолитных ИС для мелкосерийного производства
|
|
Аэрокосмическая и оборонная промышленность
|
Бортовые компьютеры, авионика, системы управления полётом, интерфейсы датчиков
|
ГИС в герметичных корпусах выдерживают жёсткое излучение, перепады температур и вибрации
|
|
Медицинское оборудование
|
Кардиостимуляторы и дефибрилляторы, слуховые аппараты, диагностические приборы
|
Критически важны миниатюризация, высочайшая надёжность (ошибка = риск для жизни) и биосовместимость. ГИС используются благодаря возможности создать сверхплотный и надёжный модуль
|
|
Телекоммуникации
|
Согласующие цепи, нагрузочные резисторы, модули для 5G-инфраструктуры (базовые станции, ВЧ-модули)
|
Требуется высокая термостабильность и способность обрабатывать высокочастотные сигналы в условиях перепада температур
|
|
Промышленная электроника
|
Датчики, контроллеры, прецизионное измерительное оборудование
|
Обеспечение высокой надёжности и точности в условиях индустриальных помех и перепадов температур
|
Технологический маршрут
Плазменная очистка
Установка плазменной очистки
Установка очистки в химических растворах
Начальный и критически важный этап, обеспечивающий идеальную адгезию наносимых пленок. Поверхность подложки (керамической, стеклянной или ситалловой) подвергается тщательной очистке от органических и неорганических загрязнений с помощью двух основных методов: химическая обработка в кислотных/щелочных растворах и плазменная очистка, которая дополнительно активирует поверхность.
Нанесение резистивных и проводящих слоев
Установка термического испарения
Нанесение резистивных слоев осуществляется методами физического осаждения из паровой фазы (PVD): термическим испарением в вакууме (нагрев материала до испарения и конденсации на подложке) или магнетронным распылением (ионная бомбардировка мишени с выбиванием атомов материала).
Для проводящих слоев используются материалы с высокой проводимостью: медь (Cu), золото (Au), алюминий (Al), а также адгезионные подслои (например, нихром, титан).
Установка магнетронного напыления
Фотолитография
Установка прямого лазерного экспонирования
Установка нанесения фоторезиста
Установка проявления фоторезиста
Установка совмещения и экспонирования
Ключевой процесс формирования топологического рисунка схемы. На подложку с нанесенными пленками центрифугированием наносится слой фоторезиста — светочувствительного полимера. Затем через фотошаблон или методом прямого лазерного экспонирования — засветка определенных участков фоторезиста. В зависимости от типа фоторезиста (позитивный или негативный) засвеченные участки становятся растворимыми или нерастворимыми. На этапе проявления незащищенные участки фоторезиста удаляются, открывая нижележащую пленку для последующего травления, а защищенные участки сохраняют пленку. Точность совмещения рисунка на подложке с фотошаблоном определяет минимальные размеры элементов.
Химическое травление
Установка жидкостной химической обработки пластин
Удаление материала пленки (резистивной, проводящей или диэлектрической) с участков, не защищенных фоторезистивной маской.
Подложка погружается в химический раствор (травитель), который растворяет незащищенные участки пленки.