Автоматическая система совмещения и экспонирования EVG IQ Aligner NT

IQ Aligner^®NT сочетает в себе современные разработки в оптике и механике, обеспечивающие высокоинтенсивное экспонирование, точное совмещение до 250 нм, точное регулирование зазора экспозиции, а также быстрый процесс обработки пластин с производительностью до 200 пластин в час. IQ Aligner^®NT поставляется с расширенными возможностями для самых точных и гибких схем совмещения, таких как микроскоп с покрытием целой 300 мм пластины. Конструкция позволяет осуществлять глобальное многоточечное совмещение и точную установку позитивного фотошаблона. Оптимизированное программное обеспечение процессов и удобство работы оператора дополняют хорошо спроектированную концепцию.

IQ Aligner^®NT превосходит самые высокие требования к системам литографии для back-end применений, обеспечивая при этом до 30 % меньшую себестоимость по сравнению с конкурирующими системами. Система идеально подходит для формирования бампов на пластине и структур интерпозеров, предназначенных для разнообразных передовых типов корпусирования, включая WLCSP, FOWLP, 3D-ИС со сквозными отверстиями (TSV), 2,5D-интерпозеры и флип-чип.

Уникальные особенности

• Концепция двойной подложки — быстрый и простой переход между работой с 200 мм и 300 мм пластинами
  
• Точная установка позитивного фотошаблона: гибкое позиционирование рисунка и полная совместимость с негативными фотошаблонами
  
• Прецизионный контроль зазора при использовании режима бесконтактного экспонирования
  
• Ультраплоский держатель пластин с температурным контролем
  
• Возможности ручной загрузки фотошаблонов и пластин
  
• Выполнение полностью автоматического или полуавтоматического процесса на одной оснастке
  
• Возможность модернизации робота на месте
  

Возможности:

• производительность 200 пластин в час (первая печать);
  
• производительность 160 пластин в час (совмещение);
  
• интенсивность широкополосного излучения >120 мВт/см²;
  
• интенсивность излучения i-линии >65 мВт/см²;
  
• точность совмещения по верхней стороне ≥ 250 нм;
  
• точность совмещения по нижней стороне ≥ 500 нм.