Серия установок для атомно-слоевого осаждения (ALD) для мелкосерийного производства ANA-200

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Серия установок для атомно-слоевого осаждения (ALD) для мелкосерийного производства ANA-200

Равномерность осаждения Al2O3 по пластине диаметром 150 мм

Равномерность осаждения HfO2 по пластине диаметром 150 мм

Покрытие стенки структуры слоем HfO2 25 нм

Осаждение 30 нм ZnO в структуры с высоким аспектным соотношением

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

ANA-200 — серия систем атомно-слоевого осаждения для мелкосерийного производства. Системы позволяют осаждать широкий спектр материалов, таких как металлы, оксиды, нитриды и др. Рабочие камеры серии имеют конструкцию с двумя полостями, что обеспечивает стабильность осаждения и эффективное использование прекурсоров. Системы рассчитаны на индивидуальную обработку по одной пластине диаметром до 300 мм.

Особенности

Для мелкосерийного производства и НИОКР на пластинах диаметром до 300 мм
Двухкамерная конструкция рабочего модуля
Инжекционный тип подачи прекурсоров. Возможность установки газового душа
Стандартная конфигурация для термического процесса атомно-слоевого осаждения. Возможность опциональной установки модуля для плазменной стимуляции процесса
Загрузка пластин через шлюзовую камеру
Программное обеспечение собственной разработки

Двухкамерная конструкция:

внутренняя реакционная камера: нержавеющая сталь 316L
внешняя камера: нержавеющая сталь 316L
кольцевой электрический нагреватель, расположенный с внешней стороны внутренней реакционной камеры, мощностью до 6 кВт

Максимальная температура процесса: 500 °C
Подача прекурсоров и газа-носителя в реакционную камеру через инжекторную систему в нижней части камеры, что обеспечивает неравномерность потока на поверхности пластины в пределах 2 % для пластин диаметром 200 мм
Быстродействующие клапаны ALD: время срабатывания ≤10 мс
Использование регуляторов расхода газа (РРГ) для продувочных газов и газа-носителя
Источники прекурсоров и рабочие газы, расположенные в газовом шкафу:

возможность установки до 6 источников прекурсоров
установка как холодных, так и подогреваемых источников
нагрев источников до 300 °C с точностью ±1 °C

Использование N₂ для продувки камеры между прекурсорами
Возможность опциональной установки генератора озона
Возможность установки удалённого источника плазмы (RPS) для плазмостимулированных процессов
Система откачки рабочего модуля на базе сухого форвакуумного насоса. Возможность установки турбомолекулярного насоса по запросу
Система контроля давления
Ловушка для удаления всех побочных продуктов, вредных для системы откачки
Шлюзовая система для загрузки пластин. Автоматическое перемещение в рабочую камеру
Скорость роста за один цикл (GPC): >0,5 А/цикл
Неравномерность осаждения (1 σ): < ± 1,5 % по пластине

Серия установок для атомно-слоевого осаждения (ALD) для мелкосерийного производства ANA-200

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование