Фильтр
Полуавтоматическая установка молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-450 для пластин диаметром до 3"

MEpi-450 – система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений с ручным перемещением образцов. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, что позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, а также исследовать структуры благодаря возможности интеграции систем in-situ измерений.

Характеристики
Автоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-450A для пластин диаметром до 3"

MEpi-450A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 3″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации

Характеристики
Полуавтоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650 для пластин диаметром до 4"

MEpi-650 — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, имеет компактную конструкцию, а также прекрасные показатели производительности.

Характеристики
Автоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650A для пластин диаметром до 4"

MEpi-650A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 4″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.

Характеристики
Полуавтоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650E для пластин диаметром до 6"

MEpi-650E — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений при работе с 6″ пластинами. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, обладает компактной и гибкой конструкцией

Характеристики
Автоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650EA для пластин диаметром до 6"

MEpi-650EA — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 6″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.

Характеристики
Автоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-960A для пластин диаметром до 8"

MEpi-960A — экономичная, эффективная и высокопроизводительная производственная система молекулярно-лучевой эпитаксии, поддерживающая рост на пластинах диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2. По сравнению с MEpi-650A стоимость производства 4″ пластин снижается более чем на 40 %.

Характеристики
Система молекулярно-лучевой эпитаксии для серийного производства MEpi-1300L для пластин диаметром до 8"

MEpi-1300L — система молекулярно-лучевой эпитаксии для крупносерийного производства пластин диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. Полностью автоматизированные операции обеспечивают легкий и надежный контроль за процессом. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2.

Характеристики

?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить