Фильтр
Система магнетронного напыления MSX608

MSX608 — кластерная система для осаждения металлических и диэлектрических слоев методом магнетронного распыления мишени. Продуманная модульная конструкция дает возможность организовать высокопроизводительный, последовательный процесс осаждения нескольких слоев без экспозиции пластин на атмосферу. Помимо стандартных камер магнетронного распыления система может быть сконфигурирована процессными модулями, поддерживающими уникальные методики осаждения, такие как осаждение оксида ванадия (VOx) и осаждение алюминия на структуры с высоким аспектным соотношением (АС). Также обеспечивает осаждение на обратную сторону пластины (наиболее применимо в случае SiC-пластин).

Система позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN и др.). Может быть применена для производства интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5.

Характеристики
Система магнетронного распыления MSS200

MSS200 — система для осаждения тонких плёнок материалов методом магнетронного распыления мишени. Позволяет получать плёнки с высокой однородностью (< 3 %). Кластерная модульная система обеспечивает последовательное напыление различных материалов без нарушения вакуума, что гарантирует высокую чистоту и воспроизводимость процессов. Система позволяет напылять слои для металлических контактов, барьерные и адгезионные слои, а также формировать вольфрамовые подслои (W-contact plug).

Характеристики
Система магнетронного распыления MSD200

Кластер MSD200 — это система магнетронного напыления с двумя транспортными модулями (backbone), что позволяет увеличить пропускную способность в процессе осаждения сложных многослойных металлических структур. Каждый транспортный модуль может быть оснащен собственными технологическими модулями (камерами напыления, камерами предварительной обработки и т. д.), обеспечивая возможность параллельно вести разные процессы или разделять этапы напыления. Данная конфигурация снижает риски перекрестного загрязнения, а модули напыления позволяют получать плёнки с высокой однородностью (< 3 %).

Характеристики
Система магнетронного распыления SSR468

SSR468 — система для осаждения тонких плёнок металлов, их соединений и диэлектриков методом магнетронного распыления мишени для МЭМС, IGBT, силовых устройств, LED и прочих полупроводниковых структур. В системе применяется ручная загрузка через шлюзовую камеру. Предназначена для НИОКР и мелкосерийного производства.

Характеристики
Система магнетронного распыления DSR468

DSR468 — система для осаждения тонких плёнок металлов, их соединений и диэлектриков методом магнетронного распыления мишени для МЭМС, IGBT, силовых устройств, LED и прочих полупроводниковых структур с возможностью подключения до четырёх процессных модулей.

Характеристики
Система магнетронного распыления MSC200

MSC200 — полностью автоматическая кластерная система магнетронного распыления для крупносерийного производства. В системе применяется сдвоенный транспортный модуль (2x Backbone), позволяющий увеличить пропускную способность. Система позволяет проводить широкий круг процессов для МЭМС, IGBT, силовых устройств, LED и прочих полупроводниковых структур.

Характеристики
Кластерная система магнетронного распыления SPC-200

SPC-200 — полностью автоматическая кластерная система магнетронного распыления для крупносерийного производства. Возможна установка до трех процессных модулей для проведения широкого круга процессов с высокой производительностью. Применяется для осаждения тонких плёнок материалов на пластины Ø150 и Ø200 мм для применения в таких областях, как: полупроводники, дисплеи, оптика, фильтры и электронные компоненты, солнечные элементы и т. д. Позволяет работать с различными типами подложек, например, полупроводниковыми пластинами, плёнками, а также подложками из стекла, пластика, металла и других материалов. Возможно оснащение одной или двумя рабочими камерами с конфигурациями по три или пять мишеней в каждой, модулем плазменной очистки, модулем загрузки/выгрузки и транспортировочным модулем с роботом для перемещения пластин.

Характеристики
Система магнетронного распыления с групповой горизонтальной загрузкой подложек UL-BMS

UL-BMS — однокамерная система для осаждения тонких плёнок материалов методом магнетронного распыления мишени. Позволяет наносить плёнки металлов и диэлектрических слоёв. Возможно применение установки для формирования проводящих и изоляционных слоёв, напыления отражающих и антибликовых оптических покрытий и др. Работает с групповой загрузкой пластин.


Характеристики
Система магнетронного распыления с возможностью одновременной работы нескольких мишеней UL-MultiMS

UL-MultiMS — однокамерная система для осаждения тонких плёнок различных материалов методом магнетронного распыления мишеней. Позволяет наносить плёнки металлов и диэлектрических слоёв. Конфигурация системы предполагает одиночную загрузку пластин в рабочую камеру и позволяет проводить гибкую настройку технологических процессов за счет применения трёх настраиваемых магнетронов в одной камере.

Характеристики
Система одностороннего магнетронного распыления с групповой вертикальной загрузкой подложек UL-CMS

UL-CMS — однокамерная система для осаждения тонких плёнок материалов методом магнетронного распыления мишени на подложки из ситалла и поликора размером 48 × 60 мм. Позволяет формировать металлические плёнки тугоплавких и резистивных металлов (РС-3710, РС-5406, V, Cr, Ni, Cu, NiCr/V/Ni, Ni-Au и др.).

Характеристики
Система двухстороннего магнетронного распыления с групповой вертикальной загрузкой подложек UL-DSMS

UL-DSMS — однокамерная система для создания тонкоплёночных покрытий на обеих сторонах подложек, изготовленных из различных материалов (ситалл, керамика, кремний, кварцевое стекло и др.). Позволяет наносить плёнки металлов и диэлектрических слоёв.

Характеристики
Система магнетронного распыления кластерного типа UL-ClustMS

UL-ClustMS — автоматическая система магнетронного распыления кластерного типа для серийного производства. Применяется для осаждения тонких плёнок различных материалов на пластины диаметром до 150 мм. Доступна установка до трех процессных модулей. Конфигурация рабочей камеры предполагает работу с одним магнетроном и одной пластиной в каждой камере за цикл.

Характеристики

?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить