Система инспекции дефектов для сложных полупроводников WDI1000

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система инспекции дефектов для сложных полупроводников WDI1000

Карта распределения дефектов по пластине

Примеры инспекции дефектов. Крупная частица

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Система WDI1000 — высокоточное автоматизированное решение для выявления и классификации привнесённой дефектности на поверхности и в объёме критически важных материалов, используемых в микроэлектронике, оптоэлектронике и фотонной индустрии. Обеспечивает всесторонний контроль качества за счёт бесконтактной технологии, исключая риск повреждения чувствительных образцов. Совместима с широким спектром подложек и эпитаксиальных структур, включая кремниевые пластины, сапфир (Al₂O₃), арсенид галлия (GaAs), танталат лития (LiTaO₃), кварцевое стекло и фосфид индия (InP), что делает её универсальным инструментом для современных производственных линий и исследовательских лабораторий.

Особенности

Инспекция пластин без рисунка
Высокая производительность, точность и воспроизводимость измерений, высокая степень обнаружения дефектов
Работа в светлом и темном полях
Возможность полной автоматизации (SECS/GEM)
Эталонная пластина c PSL-частицами на кремнии для проверки и калибровки чувствительности оборудования

Диаметр пластин	150 / 200 / 300 мм
Тип пластин	Арсенид галлия, танталат лития, ниобат лития, фосфид индия и другие подложки и эпитаксиальные слои
Толщина пластины	350 ÷ 2000 мкм
Оптический контроль	Модуль инспекции в темном поле Модуль инспекции в светлом поле DICХ10-микроскопия
Воспроизводимость	95 %

Измерение дефектности
Виды дефектов	Материал		Чувствительность
Частицы	Si, GaN, InP LT/LN		Диаметр > 60 нм Диаметр ≥ 83 нм / DF @ PSL
Впадины	Сапфир, арсенид галлия, фосфат индия, танталат лития		Диаметр ≥ 2,5 мкм
Выступы	Сапфир, танталат лития		Диаметр ≥ 2,5 мкм
Царапины	Кремний, тонкие пленки на кремнии		Ширина > 0,4 мкм Длина > 10 мкм
	Сапфир, танталат лития
Пятна	Сапфир, арсенид галлия, фосфат индия, танталат лития		Диаметр ≥ 20 мкм, высота ≥ 1 нм
Требования к инфраструктуре
Электропитание	Фаза / Напряжение / Частота	Однофазный / 220 В / 50 Гц
	Сила тока	32 А
	Мощность	7 кВт
Вакуум	Давление	-70 кПа ÷ −90 кПа
Сжатый воздух (CDA)	Давление	0,4 ÷ 0,6 МПа
		Чистый, без образования конденсата, без масла
	Расход воздуха	Макс. 6 л/мин, средний 4 л/мин
Температура	18 ÷ 26 ºС
Влажность	40 ÷ 70 %
Класс чистоты ЧПП	ISO 6

Система инспекции дефектов для сложных полупроводников WDI1000

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование