Система c.RAPID 200 предназначена для термической обработки пластин в среде водорода или формовочного газа. Возможность обработки подложки на держателе или в магазине в комбинации с работой в вакууме или под давлением открывает широкий диапазон возможных применений для полупроводниковых соединений, таких как, например, SiC. Система измерения температуры на основе пирометра позволяет работать при низких и высоких температурах. Независимое управление ламп в комбинации с аналитическим прогнозированием и PID-управлением обеспечивает великолепную точность температуры и повторяемость процесса.
c.RAPID 200 может работать с автоматической или полуавтоматической системой загрузки. Есть возможность последующей модернизации полуавтоматической системы до автоматической, что позволяет перейти от исследовательских работ к массовому производству.
Применение:
отжиг в среде формовочного газа;
отжиг в среде водорода;
NiSi2 для кремния и SiC.
Функциональные особенности:
работа при контролируемом уровне вакуума или давлении среды;
гибкая настройка: подложки до 200 мм на сусцепторе или в магазинах;
скорость нагрева до 40 К/c (кремниевая пластина 150 мм в магазине);
великолепная однородность температуры;
точный контроль среды;
высокая надёжность;
возможна установка в ряд вплотную (конфигурация с 2 станциями кассет);
автоматическая или полуавтоматическая система загрузки.
Материал подложки
Si, GaAs, SiC, GaN
Размер пластины
до 200 мм; на сусцепторе | в магазине
Нагревательная система
32 лампы с независимым управлением
Диапазон температур
200 — 1250 °C
Энергопотребление
макс. 114 кВт
Запросить в один клик
Заказать звонок
Запрос оборудования на тестирование
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.