ПОИСК ПО САЙТУ
О компании
Демозал
Карьера
Политика конфиденциальности
Сертификаты
Пресс-центр
Каталог оборудования
Решения «под ключ»
МЭМС
ГИС
Биочипы
Фотоника
Радиоэлектроника
Силовая электроника
СВЧ
ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
.png)
Печать/PDFMEpi-650EA — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 6″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.
Особенности
- Полностью автоматизированные операции по МЛЭ: перемещение образца, калибровка потока, эпитаксиальный рост и т. д.
- Обработка 6″ пластин. Применение специальных адаптеров позволяет проводить процессы одиночной или групповой обработки для пластин меньшего диаметра (например, 1×4″, 3×3″)
- Возможность размещения до 10 различных адаптеров в загрузочном модуле и до 10 адаптеров в промежуточной (буферной) камере
- Оснащение дифрактометром быстрых электронов (RHEED), системой мониторинга потоков пучков (BFM) и анализатором остаточных газов (RGA)
- Большое количество портов для установки метрологического оборудования для мониторинга in-situ для улучшения и расширения системы
- Удобное управление системой, простой и понятный интерфейс, оснащение системой защитных блокировок и функциями предотвращения неправильной работы
- Модульная многокамерная конфигурация с независимыми насосами и затворами для каждой камеры
- Дополнительные стандартные установочные порты, облегчающие связь с другими вакуумными системами
- Компоненты, проходящие долговременные тесты на устойчивость для соответствия производственным требованиям
- Диаметр камеры: 650 мм
- Максимальная температура нагревателя подложек: 1000 °С
- Температурная стабильность нагревателя подложек: ±0,2 °C
- Максимальный диаметр подложки: 6”
- Максимальная скорость вращения подложек: 60 об/мин
- Конфигурация источников: 12 x CF100
- Температура предварительного нагрева (bakeout): 200 °С
- Дифрактометр быстрых электронов (RHEED): 15-30кэВ
- Анализатор остаточных газов (RGA): 0-200 аем
- Максимальная температура нагревателя предварительной обработки подложек: 800 °С
- Кластерный робот:
- переходный фланец: СF200
- перемещение по XY: 1231 мм
- Опциональные модули:
- ИК-лампа для модуля загрузки
- второй загрузочный модуль
- CCD-камера для контроля
- вакуумный перчаточный бокс
- система нейтрализации продуктов реакции
- LED-система подсветки
- станция для откачки модулей во время обслуживания на базе турбомолекулярного насоса (ТМН)
- система мониторинга пучка методом атомно-абсорбционной спектроскопии (AASFM)
- система контроля температуры при помощи анализа спектра поглощения вблизи края запрещённой зоны (BETM)
Результаты технологических процессов
Результат однородности осаждения Ga2O3
_1.png "Дифракционные полосы (RHEED pattern)_1.png")
Дифракционные полосы (RHEED pattern)
Неравномерность толщины слоя ZnSe
Стабильность температуры во время процесса
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3
Сформированные структуры Ga2O3
Запросить в один клик
Заказать звонок