MEpi-960A — экономичная, эффективная и высокопроизводительная производственная система молекулярно-лучевой эпитаксии, поддерживающая рост на пластинах диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2. По сравнению с MEpi-650A стоимость производства 4″ пластин снижается более чем на 40 %.
Особенности
Проведение процессов эпитаксиального роста на одной 8″ пластине, возможность групповой обработки пластин 4×4″, 7×3″ и 14×2″
Гибкая конфигурация для подключения различных источников, особая конструкция тиглей большой ёмкости и инжектора дают исключительные стабильность и равномерность потока при долгих процессах роста
Возможность размещения до 10 различных адаптеров в загрузочном модуле и до 10 адаптеров в промежуточной (буферной) камере
Полностью автоматизированные операции: перемещение образца, калибровка потока, эпитаксиальный рост и т. д.
Обеспечение высокой стабильности в работе с несколькими образцами
Оснащение дифрактометром быстрых электронов (RHEED), системой мониторинга потоков пучков (BFM) и анализатором остаточных газов (RGA)
Дополнительные порты для установки оборудования in-situ мониторинга процесса
Применение специально разработанных криопанелей, охлаждаемых жидким азотом, с расходом около 60 л/ч
Компоненты, проходящие долговременные тесты на устойчивость для соответствия производственным требованиям
Диаметр камеры: 960 мм
Максимальная температура нагревателя подложек: 1000 °С
Температурная стабильность нагревателя подложек: ±0,2 °C
Максимальный диаметр подложки: 8″
Максимальная скорость вращения подложек: 400 об/мин
Конфигурация источников: 12 x CF150
Температура предварительного нагрева (bakeout): 200 °С
Максимальная температура нагревателя предварительной обработки подложек: 800 °С
Кластерный робот:
переходный фланец: прямоугольный
перемещение по XY: 1300 мм
Опциональные модули:
ИК-лампа для модуля загрузки
второй загрузочный модуль
CCD-камера для контроля
вакуумный перчаточный бокс
система нейтрализации продуктов реакции
LED-система подсветки
станция для откачки модулей во время обслуживания на базе турбомолекулярного насоса (ТМН)
система мониторинга пучка методом атомно-абсорбционной спектроскопии (AASFM)
система контроля температуры при помощи анализа спектра поглощения вблизи края запрещённой зоны (BETM)
Результаты технологических процессов
Результат однородности осаждения Ga2O3
Дифракционные полосы (RHEED pattern)
Неравномерность толщины слоя ZnSe
Стабильность температуры во время процесса
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3 Применение МЛЭ для систем зеркал литографического оборудования
Сформированные структуры Ga2O3
Запросить в один клик
Заказать звонок
Запрос оборудования на тестирование
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.