Полуавтоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650 для пластин диаметром до 4"

MEpi-650 — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, имеет компактную конструкцию, а также прекрасные показатели производительности.

Особенности

• Высококачественный эпитаксиальный рост на подложке диаметром 4″. Использование различных адаптеров позволяет применять систему под другие диаметры подложек: 1×3″, 3×2″ и 1×2″
• Удобное управление системой, простой и понятный интерфейс, оснащение системой защитных блокировок и функциями предотвращения неправильной работы
• 12 портов для установки источников
• Возможность размещения до шести различных адаптеров в загрузочном модуле
• Модульная многокамерная конфигурация с независимыми насосами и затворами для каждой камеры, облегчающая ежедневное обслуживание
• Двухосный магнитный манипулятор позволяет совместить функции подъема и телескопического движения подложкодержателя, что упрощает операции перемещения образца
• Значительно сниженные габариты: площадь около 36 м²
• Применение криопанелей, охлаждаемых жидким азотом с расходом около 36 л/ч
• Специально подобранная система откачки модулей для достижения сверхвысокого вакуума