MEpi-1300L — система молекулярно-лучевой эпитаксии для крупносерийного производства пластин диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. Полностью автоматизированные операции обеспечивают легкий и надежный контроль за процессом. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2.
Особенности
Проведение процессов эпитаксиального роста на одной 8” пластине, а также возможность групповой обработки пластин 4×6”, 9×4”, 15×3”
Возможность размещения до 10 различных адаптеров в загрузочном модуле
Обеспечение высокой стабильности в работе с несколькими образцами
Полностью автоматизированные ежедневные МЛЭ-операции: перемещение образца, калибровка потока, эпитаксиальный рост и т. д.
Оснащение дифрактометром быстрых электронов (RHEED), системой мониторинга потоков пучков (BFM) и анализатором остаточных газов (RGA)
Большое количество портов для установки оборудования мониторинга in-situ для улучшения и расширения системы
Система с модульной конструкцией камер, занимающая меньше пространства по сравнению с похожими системами, поддержка двух модулей ростовой камеры, что значительно повышает производительность и позволяет проводить процессы роста несовместимых в одной камере материалов
Удобное управление системой, простой и понятный интерфейс
Оснащение системой защитных блокировок и функциями предотвращения неправильной работы
Модульная многокамерная конфигурация с независимыми насосами и затворами для каждой камеры
Простое и удобное обслуживание системы, обеспечивающее время безотказной работы системы
Диаметр камеры: 1300 мм
Максимальная температура нагревателя подложек: 1000 °С
Температурная стабильность нагревателя подложек: ±0,2 °C
Максимальный диаметр подложек: 8″
Максимальная скорость вращения подложек: 40 об/мин
Конфигурация источников: 12 x CF200
Температура предварительного нагрева (bakeout): 200 °С
станция для откачки модулей во время обслуживания на базе турбомолекулярного насоса (ТМН)
система мониторинга пучка методом атомно-абсорбционной спектроскопии (AASFM)
система контроля температуры при помощи анализа спектра поглощения вблизи края запрещённой зоны (BETM)
Результаты технологических процессов
Результат однородности осаждения Ga2O3
Дифракционные полосы (RHEED pattern)
Неравномерность толщины слоя ZnSe
Стабильность температуры во время процесса
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3
Результат высокоразрешающей электронной микроскопии (HR-STEM) для выращенных пленок Ga2O3 Применение МЛЭ для систем зеркал литографического оборудования
Сформированные структуры Ga2O3
Запросить в один клик
Заказать звонок
Запрос оборудования на тестирование
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.