Система совмещения и экспонирования MA-200

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система совмещения и экспонирования MA-200

Структура из стенок шириной 1 мкм при толщине ФР 1,2 мкм

Маска из стенок шириной 0,25 мкм с проявленными полосами шириной 0,5 мкм

Экспонирование квадратов со стороной 30 мкм на толстом негативном фоторезисте SU8 толщиной 300 мкм

Экспонирование квадратов со стороной 5 мкм на фоторезисте 10 мкм

PSS*-паттернирование сапфировых подложек структурой из полусфер диаметром 3 мкм*(Patterned Sapphire Substrate – методика нанесения микроузора на подложки сапфира для последующей эпитаксии GaN)

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

MA-200 — установка совмещения и экспонирования для работы с областью экспонирования размером до Ø8″, позволяющая работать с фоторезистами, чувствительными к УФ-излучению I-, G- и H-линий и широкой номенклатурой типоразмеров подложек. Разработана для НИОКР и мелкосерийного производства

Особенности

Hg- или LED-источники экспонирующего излучения I-, G- и H-линий, область экспонирования до Ø8 дюймов
Работа с пластинами до Ø8 дюймов, а также с подложками прямоугольного типа и кусочками пластин
Мощность источника излучения: 350 Вт, оснащение двухканальным источником питания c работой в режиме постоянной мощности или постоянной интенсивности
По запросу: источники излучения мощностью 500, 1000 или 2000 Вт, от ближнего (NUV) до глубокого (DUV) УФ-излучения
Системы совмещения на базе ПЗС-камер в однопольном или двупольном исполнениях с оптическим и цифровым увеличением
Возможность оснащения системой автоматического совмещения и системой совмещения по обратной стороне в ИК (BSIR) или видимом (BSV) спектрах

Однородность засветки:

< ±1 % по пластине Ø4″
< ±2 % по пластине Ø6″
< ±3 % по пластине Ø8″

Разрешение экспонирования:

< 0,6 мкм для вакуумного/жёсткого контакта (экспонирование в ближнем УФ (NUV))
< 0,8 мкм для мягкого контакта
< 1 мкм для микрозазора 50 мкм
< 2 мкм для микрозазора 100 мкм

Точность совмещения: +/- 0,5 мкм
Работа с позитивными и негативными ФР, в том числе большой толщины
Источник питания c работой в режиме постоянной мощности или постоянной интенсивности
Выходная интенсивность источника ближнего УФ-излучения мощностью 350 Вт:

365 нм — 18-20 мВт/см²
400 нм — 35-40 мВт/см²
436 нм — 8-10 мВт/см²

Система совмещения и экспонирования MA-200

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование