Кластерная система для роста эпитаксиальных слоев Si/SiGe EPI-P300

EPI-P300 — кластерная система, реализующая процесс однородного эпитаксиального роста слоев Si и SiGe методом осаждения из газовой фазы при пониженном или атмосферном давлении на монокристаллических подложках диаметром до 300 мм. Конструкция системы и рабочих модулей обеспечивает прецизионный контроль толщины получаемых слоев. Эпитаксиальный рост может улучшать целостность оксидного слоя КМОП-затворов, уменьшать утечки в каналах и повышать надежность интегральных схем за счет выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев. Оборудование может быть использовано для производства полупроводниковых дискретных устройств и интегральных схем.

Особенности

• Модульная конструкция системы, позволяющая сократить площадь чистых помещений и снизить затраты на эксплуатацию
• Возможность проводить процессы выращивания эпитаксиальных слоев в условиях атмосферного (ATM) и пониженного давления (RP)
• Рост слоев в широком диапазоне толщин
• Возможна подача легирующих компонентов P- и N-типа в рабочий модуль
• Удобный интерфейс с динамической визуализацией данных, возможностью контроля параметров процесса и ведения статистических данных