Система атомно-слоевого осаждения (ALD) для серийного производства и НИОКР MR200_ALD

MR200_ALD — установка для проведения процессов атомно-слоевого осаждения. Рассчитана на индивидуальную обработку по одной пластине диаметром до 200 мм. Поддерживает конфигурацию как термического ALD, так и плазменно-усиленного ALD (PEALD), обеспечивая гибкость при переходе между различными технологическими процессами. Рабочие модули системы имеют двухкамерный дизайн, что позволяет точно контролировать процесс осаждения. Возможность применения как в производстве интегральных схем (IC), силовых устройств (Power devices), передовой упаковке (Advanced Packaging), так и для научных исследований.

Особенности

• Для серийного производства и НИОКР на пластинах диаметром до 200 мм
• Осаждение таких слоев, как: Al₂O₃, TiO₂, SiO₂, HfO₂, ZrO₂, AlN, TiN и др.
• Двухкамерная конструкция рабочего модуля
• Стандартная конфигурация для термического процесса атомно-слоевого осаждения. Возможность опциональной установки модуля для плазменной стимуляции процесса
• Загрузка пластин через шлюзовую камеру (LL) или кассетная загрузка (VCE)
• Программное обеспечение собственной разработки