Система измерения дефектности на пластинах GaN

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система измерения дефектности на пластинах GaN

Примеры инспекции дефектов. Гексагональные дефекты

Примеры инспекции дефектов. Трещины (BF)

Примеры инспекции дефектов. Трещины (DF)

Примеры инспекции дефектов. Царапины и частицы (BF)

Примеры инспекции дефектов. Царапины и частицы (DF)

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Система WIDEN — высокоточное автоматизированное решение для выявления и классификации привнесенной дефектности в материалах на основе нитрида галлия (GaN). Незаменима для производства и исследований в области силовой электроники, светодиодов (LED), лазерных диодов и СВЧ-устройств. Обеспечивает комплексный мониторинг как поверхности подложек из нитрида галлия, так и качества выращиваемых эпитаксиальных слоев GaN.
Основным технологическим преимуществом является способность системы достоверно идентифицировать и классифицировать широкий спектр критичных дефектов. К ним относятся поверхностные нарушения: впадины, выступы, царапины и загрязнения (пятна), а также внутренние структурные дефекты эпитаксиальных слоёв.

Особенности

Инспекция пластин без рисунка
Высокая производительность, точность и воспроизводимость измерений, высокая степень обнаружения дефектов
Работа в светлом и темном полях
Возможность полной автоматизации (SECS/GEM)
Эталонная пластина c PSL-частицами на кремнии для проверки и калибровки чувствительности оборудования

Диаметр пластин	150 / 200 / 300 мм
Тип пластин	Подложки GaN и эпитаксиальные слои GaN на Si / PSS / сапфире / SiC
Толщина пластины	350 ÷ 1500 мкм
Оптический контроль	Модуль инспекции в темном поле (DF) Модуль инспекции в светлом поле (BF) Модуль инспекции в фотолюминесценции (PL)
Воспроизводимость	95 %

Измерение дефектности
Тип дефекта	Материал	Параметр / Чувствительность
Частицы	Кремний	Диаметр ≥ 200 нм / BF @ PSL
Микроямки	Эпитаксиальные ямки GaN на Si или SiC	Диаметр ≥ 0,3 мкм
Микроямки	Эпитаксиальные ямки GaN на сапфире или PSS	Диаметр > 0,5 мкм
Выступы	Эпитаксиальные выступы GaN на Si или SiC	Диаметр ≥ 2,5 мкм
Выступы	Эпитаксиальные выступы GaN на сапфире или PSS	Диаметр ≥ 2,5 мкм
Царапины	Подложка GaN	Ширина: 0,4 мкм Длина: 10 мкм
Царапины	Эпитаксиальный слой GaN	Ширина: 0,5 мкм Длина: 10 мкм
Пятна	Подложка или эпитаксиальный слой GaN	Диаметр ≥ 20 мкм
Гексагональные дефекты	GaN на Si, SiC и PSS	Классифицируются алгоритмами глубокого машинного обучения
Трещины	GaN на Si	На глубине до 15 мкм от поверхности
Требования к инфраструктуре
Электропитание	Фаза / Напряжение / Частота	Однофазный / 220 В / 50Гц
	Сила тока	32 А
	Мощность	7 кВт
Вакуум	Давление	-70 кПа ÷ -90 кПа
Чистый сухой воздух	Давление	0,4 ÷ 0,6 МПа
	Конденсат	Отсутствие конденсата
	Расход воздуха	Макс. 6 л/мин, средний 4 л/мин
Температура	18 ÷ 26 ºС
Влажность	40 ÷ 70 %
Класс чистоты ЧПП	ISO 6

Система измерения дефектности на пластинах GaN

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование