Заказать звонок +7 495 788-44-44
Меню
ПОИСК ПО САЙТУ
Каталог товаров Сборочное производство Полупроводниковое производство
АОИ, тестирование и контроль Инженерные решения для ЧПП
Расходные материалы
О компании Демозал Карьера Политика конфиденциальности Сертификаты Пресс-центр Каталог оборудования Решения «под ключ» МЭМС ГИС Биочипы Фотоника Радиоэлектроника Силовая электроника СВЧ
Услуги и сервис Сервис и модернизация Запасные части: 4MICRO.RU Технология Обучение персонала Сервис-деск База знаний Каталоги и брошюры Статьи Технологии Вебинары Личный кабинет Личные данные Ваше оборудование Заявки на сервис Анкеты Задать вопрос Лист запросов Подписка
Контакты
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39

Серия установок для плазмохимического травления различных слоев в ёмкостно-связанной плазме (CCP)

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
Серия установок для плазмохимического травления различных слоев в ёмкостно-связанной плазме (CCP) Результаты технологических процессов. Травление отверстий в слое PSG Диаметр 0.15 мкм Результаты технологических процессов. Травление отверстий в слое PSG Диаметр 0.10 мкм Результаты технологических процессов. Травление структур в слое BPTEOS диаметром 0.25 мкм Результаты технологических процессов. Травление структур в слое SiN 0,25 мкм Результаты технологических процессов. Формирование контактного отверстия диаметром 0,35 мкм
Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок
Печать/PDF

MR200/2000/6000_CCP — серия установок для проведения процессов плазмохимического травления диэлектрических слоёв в ёмкостно-связанной плазме. Дизайн рабочих модулей разработан для эффективного и однородного травления таких слоев, как: SiO2, Si3N4, SiON.

Особенности

  • Доступно однокамерное исполнение со шлюзовой загрузкой (модель MR200), а также кластерные системы (модели MR2000 и MR6000) с кассетной загрузкой пластин и возможностью размещения до четырех рабочих модулей
  • Возможна интеграция камер CCP- и ICP-травления в один кластер
  • Применение систем как для крупносерийного производства, так и для научно-исследовательских нужд
  • Двойной CCP-источник (dual-frequency), обеспечивающий высокую скорость ионизации газа, высокую энергию ионов и быструю скорость травления
  • Подходит для травления диэлектрических слоев: SiO2, Si3N4, SiON

  • Диаметр обрабатываемых пластин: 100 ÷ 200 мм
  • Высокие скорости травления:
    • слои SiO (на основе TEOS) более 700 нм/мин
    • слои USG — более 750 нм/мин
    • слои SiN/SiON — более 500 нм/мин
  • Высокая однородность травления: < 3 % (по пластине и от пластины к пластине)
  • Малое количество привносимых дефектов:
    • менее 50 частиц размером > 0,2 мкм при травлении слоев SiO / SiN
  • Возможность использования электростатического (ESC) или механического (Clamp) прижима пластин на подложкодержателе
  • Подача гелия к обратной стороне пластины
  • Двойной СCP-источник: 27 и 2 МГц
  • Специальная система подачи газа (GDP) с несколькими уровнями для равномерной подачи газов
  • Газовая система интегрирована в каждый рабочий модуль и позволяет размещать до 12 газовых линий c высокоточными регуляторами расхода газа (РРГ)
  • Газовая конфигурация: различные F-содержащие газы (в зависимости от процесса и запроса)
  • Опциональное применение систем контроля процесса на базе ОЭС
  • Системы откачки рабочих модулей на базе ТМН и сухих форвакуумных насосов
  • Высокие показатели надежности системы:
    • время непрерывной безаварийной работы (Uptime): > 85 %
    • среднее время между отказами (MTBF): > 350 ВЧ-часов


+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
© 2020 ООО «Остек-ЭК»
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить