Серия установок для плазмохимического травления слоев в индуктивно-связанной плазме (ICP/TCP)

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Кластерная система MR6000_ICP с двумя кассетными загрузчиками пластин и возможностью размещения до четырех рабочих модулей

Система MR200_ICP с ручной загрузкой пластин в вакуумный шлюз

Кластерная система MR2000_ICP с одной кассетной загрузкой пластин и возможностью размещения до трех рабочих модулей

Результаты технологических процессов. Травление структур в поликремнии

Результаты технологических процессов. Травление кремния

Результаты технологических процессов. Глубокое травление кремния с различными критическими размерами (CD)

Результаты технологических процессов. Травление металлов (на примере травления Al)

Результаты технологических процессов. Травление SiC

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

MR200/2000/6000_ICP — серия установок для проведения процессов плазмохимического травления слоёв в индуктивно-связанной плазме. Дизайн системы и ее рабочих модулей позволяет настраивать профили травления и получать высокие показатели однородности травления. Применение различных конфигураций рабочих модулей дает возможность проводить травление диэлектрических и металлических слоёв, кремния, а также слоёв группы A3B5.

Особенности

Доступно однокамерное исполнение системы со шлюзовой загрузкой (модель MR200), а также кластерные системы (модели MR2000 и MR6000) с кассетной загрузкой и возможностью размещения до четырех рабочих модулей
Применение систем как для крупносерийного производства, так и для научно-исследовательских нужд
Возможность совмещения различных модулей под разные процессы на одной транспортной платформе (для моделей MR2000 и MR6000), а также совместной интеграции камер ICP- и CCP-травления в одном кластере
ICP/TCP-плазма: высокая плотность и низкое повреждение слоев
Травление различных материалов: Si, poly-Si, металлы, диэлектрики (SiN/SiO), SiC/GaAs/GaN

Диаметр обрабатываемых пластин: 100 ÷ 200 мм
Высокие скорости травления слоёв:

алюминия более 700 нм/мин
диэлектриков (SiN/SiO) — более 400 нм/мин
поликремния — более 300 нм/мин
кремния — более 5 мкм/мин

Высокая однородность травления: < 5 % (по пластине и от пластины к пластине в зависимости от применяемого процесса)
Малое количество привносимых дефектов:

при травлении диэлектрических и металлических слоев менее 50 частиц размером более 0,2 мкм

Возможность использования электростатического (ESC) или механического (Clamp) прижима пластин на подложкодержателе с подачей гелия под обратную сторону пластины для эффективного теплоотвода
Мощность и рабочая частота генератора ICP-источника и генератора смещения (bias), подбираемые под техпроцесс заказчика:

использование ICP-источника 13,56 МГц мощностью 5 кВт и источника смещения 400 кГц мощностью 1,5 кВт для эффективного травления Si

Инжекторный тип подачи рабочих газов в камеру
Газовая система интегрирована в каждый рабочий модуль и позволяет размещать до 12 газовых линий c точными регуляторами расхода газа (РРГ)
Газовая конфигурация: F- и Cl-содержащие газы (в зависимости от маски и техпроцесса)
Опциональное применение систем контроля процесса на базе ОЭС
Системы откачки рабочих модулей на базе ТМН и сухих форвакуумных насосов
Высокие показатели надежности системы:

время непрерывной безаварийной работы (Uptime): > 85 %
среднее время между отказами (MTBF): > 350 ВЧ-часов

Серия установок для плазмохимического травления слоев в индуктивно-связанной плазме (ICP/TCP)

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование