ANMx-200 — серия систем термического атомно-слоевого осаждения c щелевым реактором. Отличаются уникальной модульной конструкцией и оптимизированной системой подачи прекурсоров, обеспечивающей высокую стабильность процессов.
Возможность применения для производства интегральных схем, МЭМС, оптоэлектроники, перовскитных солнечных элементах и других областей.
Особенности
Для НИОКР и мелкосерийного производства
Настраиваемые размеры камер в зависимости от применения: 200 × 400 мм2, 300 × 300 мм2, 600 × 600 мм2
Возможность адаптации под конкретные задачи благодаря модульному дизайну
Возможность размещения как стандартных пластин, так и подложек нестандартного размера
Осаждение широкого спектра оксидных материалов, например, SiO2, SnO2, HfO2, Al2O3 и металлических материалов, например, Cu, Ru и т. д.
Программное обеспечение собственной разработки
Тип реактора: плоскостной, модульный
Диапазон рабочих температур от комнатной до 300 °C
Возможность установки до шести линий подачи прекурсоров:
установка как холодных, так и подогреваемых источников
нагрев источников до 200 °C с точностью ±1 °C
Быстродействующие клапаны ALD: время срабатывания ≤ 10 мс
Использование регуляторов расхода газа (РРГ) для продувочных газов и газа-носителя
Использование N2 для продувки камеры между прекурсорами
Система откачки реактора на базе сухого насоса
Система контроля давления
Скорость роста за один цикл (GPC): > 0,5 А/цикл
Неравномерность осаждения (1 σ): < 2 % по пластине