EBE-200Dual — двухкамерная система для электронно-лучевого осаждения материалов на пластины диаметром до 200 мм. Применение в таких областях, как: полупроводники, оптические покрытия, фильтры и т. д. Использование двух камер подразумевает расположение испарителя и подложек на держателе в раздельных вакуумных камерах. Это решение позволяет держать испаритель под постоянным вакуумом даже во время процесса загрузки-выгрузки подложек, благодаря чему достигается высокая стабильность работы испарителя и исключается негативное воздействие атмосферы на материалы напыления. Конфигурация системы обеспечивает легкий доступ к испарителю, удобное обслуживание двух модулей и даёт возможность использовать широкий функционал для осаждения слоев за счет использования различных подложкодержателей с системой наклона и вращения, системы контроля за процессом и удобного программного обеспечения.
Особенности
Отдельные вакуумные камеры для источника и для образца
Поддержка работы с пластинами до Ø200 мм
Наклоняемый и вращающийся подложкодержатель для одной пластины Ø200 мм. Возможность размещения нескольких пластин меньшего диаметра (например, 3 × 76 мм)
Неоднородность толщин плёнок:
по пластине (WiW): ≤±3 %
от пластины к пластине (WtW): ≤±3 %
Функция предварительной плазменной очистки поверхности пластины (сеточный ионный источник)
Данные по процессам
Слой
Вращение
Целевая толщина
Скорость осаждения
Точка измерения и толщина, А
Ср.знач
Min
Max
NU, %
1
2
3
4
5
WiW
WtW
Cr
10 об/мин
1000 А
1 А/с
991.2
997.3
1039.6
1040.9
1042.8
1022.4
991.2
1042.8
2.54
0.33
1049
1050
1046.5
1018.7
1053.1
1043.5
1018.7
1053.1
1.66
Данные по процессу осаждения слоя хрома на пластины диаметром 200 мм
Слой
Вращение
Целевая толщина
Скорость осаждения
Точка измерения и толщина, А
Ср.знач
Min
Max
NU, %
1
2
3
4
5
WiW
WtW
Ni
10 об/мин
1000 А
1 А/с
1233.2
1239.7
1200.6
1211.1
1236.5
1224.2
1200.6
1239.7
1.6
1.1
1259.6
1220.9
1227.4
1207
1239
1230.8
1207
1259.6
2.13
Данные по процессу осаждения слоя никеля на пластины диаметром 200 мм
Слой
Вращение
Целевая толщина
Скорость осаждения
Точка измерения и толщина, А
Ср.знач
Min
Max
NU, %
1
2
3
4
5
WiW
WtW
Al
10 об/мин
1000 А
1 А/с
1180.3
1177.3
1191
1205.3
1245
1195.8
1177.3
1225
1.99%
1.39
1215
1190.7
1224.5
1206.5
1229
1213.1
1190.7
1229
1.58%
Данные по процессу осаждения слоя алюминия на пластины диаметром 200 мм
Слой
Вращение
Целевая толщина
Скорость осаждения
Точка измерения и толщина, А
Ср.знач
Min
Max
NU, %
1
2
3
4
5
WiW
WtW
Ti
10 об/мин
1000 А
1 А/с
1001.1
1013.7
1025.5
1020.8
1030.3
1018.3
1001.1
1030.3
1.44%
1.14
1010.9
1019.2
1002.3
1009.9
1003.9
1009.2
1002.3
1019.2
0.84%
Данные по процессу осаждения слоя титана на пластины диаметром 200 мм
Камера источника испарения
Нагрев и охлаждение
Контроль температуры стенок камеры при помощи теплообменника в диапазоне: 25 ÷ 60 ºС
Источник электронно-лучевого испарения
Источник револьверного типа: 8 тиглей объемом 15 см3 каждый с водяным охлаждением
Источник питания мощностью 8 кВт с напряжением смещения вдоль X/Y осей
Источник ионов
Ионный источник Кауфмана
Регулятор расхода газов: Ar, O2
Контроль температуры стенок камеры при помощи теплообменника в диапазоне: 25 ÷ 60 ºС
Общий теплообменник для нижней и верхней камер
Подложкодержатель
Возможность размещения пластин диаметром 3 ÷ 8 дюймов
Механическая фиксация пластины при помощи прижимного кольца для определенного диаметра
Наклон в диапазоне: −90° ÷ +90°
Регулировка температуры в диапазоне: −20 ÷ +25 ℃
Контроль осаждения
Кварцевый датчик револьверного типа (QCM)
Контроллер системы
Система откачки
Криогенный насос
Компрессор с водяным охлаждением для криогенного насоса
Безмасляный форвакуумный насос (общий с камерой испарения)