Полуавтоматическая система молекулярно-лучевой эпитаксии MEpi-650E для пластин диаметром до 6"

MEpi-650E — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений при работе с 6″ пластинами. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, обладает компактной и гибкой конструкцией

Особенности

• Оснащение 12 портами для установки источников
• Возможность размещения до шести различных адаптеров в загрузочном модуле
• Высококачественный эпитаксиальный рост на подложке диаметром 6″. Использование различных адаптеров позволяет применять систему под другие диаметры подложек, например: 1×4″, 3×3″.
• Удобное управление системой, простой и понятный интерфейс, оснащение системой защитных блокировок и функциями предотвращения неправильной работы
• Модульная многокамерная конфигурация с независимыми насосами и затворами для каждой камеры, облегчающая ежедневное обслуживание
• Двухосный магнитный манипулятор, позволяющий совместить функции подъема и телескопического движения подложкодержателя, что упрощает операции перемещения образца
• Малые габариты установки
• Применение криопанелей, охлаждаемых жидким азотом с расходом около 44 л/ч
• Специально подобранная система откачки модулей для достижения сверхвысокого вакуума