Заказать звонок +7 495 788-44-44
Меню
ПОИСК ПО САЙТУ
Каталог товаров Сборочное производство Полупроводниковое производство
АОИ, тестирование и контроль Инженерные решения для ЧПП
Расходные материалы
О компании Демозал Карьера Политика конфиденциальности Сертификаты Пресс-центр Каталог оборудования Решения «под ключ» МЭМС ГИС Биочипы Фотоника Радиоэлектроника Силовая электроника СВЧ
Услуги и сервис Сервис и модернизация Запасные части: 4MICRO.RU Технология Обучение персонала Сервис-деск База знаний Каталоги и брошюры Статьи Технологии Вебинары Личный кабинет Личные данные Ваше оборудование Заявки на сервис Анкеты Задать вопрос Лист запросов Подписка
Контакты
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39

Установка для индукционного PVT-выращивания SiC IP400-SiC

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
Установка для индукционного PVT-выращивания SiC IP400-SiC
Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок
Печать/PDF

IP400-SiC — установка для выращивания слитков SiC диаметром до 8 дюймов методом PVT с индукционным нагревом. Обеспечивает условия для выращивания высокоомного и низкоомного карбида кремния высокого качества.

Особенности

  • Возможность выращивания слитков Ø6"/Ø8″
  • Индукционный нагрев расплава
  • Двухслойный кварцевый реактор с водяным охлаждением
  • Вращение тигля для улучшения равномерности температуры
  • Измерение температуры двумя пирометрами в верхней и нижней части камеры
  • Режимы работы по постоянной мощности, постоянному току или постоянной температуре
  • Запуск процессов в один клик
  • Компактная конструкция
  • Высокоточный дроссельный клапан и РРГ для контроля давления в камере выращивания
  • Точность контроля давления: ±1 Па (при давлении, необходимом для роста слитков)

  • Натекание: <5 Па за 12 часов (после прокаливания)
  • Габариты: 3200 × 1150 × 3600 мм
  • Внутренний диаметр камеры: 400 мм
  • Предельный вакуум: 5×10⁻⁴ Па (после запуска молекулярного насоса на 1,5 часа)
  • Ход перемещения индукционного нагревателя: 200 мм
  • Максимальная температура в камере: 2400 °C
  • Источник питания для нагрева: макс. мощность (Pmax) 40 кВт, частота 8-12 кГц
  • Система мониторинга температуры: 2х ИК-пирометра
  • Диапазон измерения температуры: от 900 до 3000 °C
  • Точность контроля температуры: ±1 °C
  • Контролируемый диапазон давления в камере: 1-700 мбар
  • Точность контроля давления: 1-10 мбар, ±0,5 %; 10-100 мбар, ±0,5 %;100-700 мбар, ±0,5 %
  • Загрузка шихты через нижнюю часть камеры
  • Опционально: вращение тигля


1Лист запросов
В лист запросов →
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
© 2020 ООО «Остек-ЭК»
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить