Установка для плазменной очистки поверхности при мелкосерийном, R&D-производстве, лабораторных исследованиях широкой номенклатуры микросхем, электронных компонентов и различных изделий.
Сниженная температура процесса очистки до 60 С, защищающая поверхности материалов от тепловых повреждений
ВЧ-генератор с рабочей частотой 13,56 МГц и переменной мощностью от 0 до 600 Вт
Возможность замены ВЧ-генератора на НЧ- и СВЧ-генераторы с частотой 40 кГц/2,54 ГГц и переменной мощностью 0 – 200 Вт
Гибкая настройка поступающих в рабочую камеру газов 10 – 160 см3/мин, встроенная система из двух регуляторов
Интегрированное программное обеспечение, осуществляющее управление процессом и плазмой в реальном времени, запись процесса обработки, в том числе при удаленном доступе