Система плазмохимического осаждения из газовой фазы с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP-CVD) для пластин диаметром 200 мм SuperCVD-8

Серия систем SuperCVD-8 плазмохимического осаждения из газовой фазы с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP-CVD) позволяет формировать высокоплотную плазму и использовать напряжение смещения на подложкодержатель. Таким образом, ICP-CVD-осаждение плёнок происходит при низких температурах, обеспечивая высокую плотность пленок, низкое повреждение поверхности и высокую заполняющую способность.

Особенности

• Для серийного производства
• Для пластин диаметром до 200 мм. Обработка пластин Ø 100-150 мм реализована при помощи сменных комплектов оснастки рабочих модулей
• Возможна реализация в виде полуавтоматической системы с ручной загрузкой пластин через вакуумный шлюз
• Использование стандартных деталей, применяемых на 8-дюймовых производствах по всему миру. Конструкция соответствует стандартам SEMI
• Возможность проводить осаждение высокоплотных плёнок при низких температурах (<120 °С). Плотность плёнок сопоставима с плёнками, полученными с помощью LPCVD при температурах >750 °С
• Низкие токи утечки в пленках, сопоставимые с процессами атомно-слоевого осаждения (ALD)
• Возможность заполнения структур с высоким аспектным соотношением без пустот
• Возможность использования электростатического (ESC) или механического (clamp) прижима для различных диаметров пластин (8- или 6-дюймов)