Заказать звонок +7 495 788-44-44
Меню
ПОИСК ПО САЙТУ
Каталог товаров Сборочное производство Полупроводниковое производство
АОИ, тестирование и контроль Инженерные решения для ЧПП
Расходные материалы
О компании Демозал Карьера Политика конфиденциальности Сертификаты Пресс-центр Каталог оборудования Решения «под ключ» МЭМС ГИС Биочипы Фотоника Радиоэлектроника Силовая электроника СВЧ
Услуги и сервис Сервис и модернизация Запасные части: 4MICRO.RU Технология Обучение персонала Сервис-деск База знаний Каталоги и брошюры Статьи Технологии Вебинары Личный кабинет Личные данные Ваше оборудование Заявки на сервис Анкеты Задать вопрос Лист запросов Подписка
Контакты
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39

Кластерная система для роста эпитаксиальных слоев Si/SiGe EPI-AN300

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643
Кластерная система для роста эпитаксиальных слоев Si/SiGe EPI-AN300 Результат роста слоя Si толщиной 10 мкм. Неравномерность толщины по пластине (1 σ) 0,50 % Результат роста слоя Si толщиной 10 мкм. Неравномерность поверхностного сопротивления по пластине (1 σ) 2,91 % Статистический контроль процесса. Стабильность толщины плёнки Статистический контроль процесса. Стабильность поверхностного сопротивления Статистический контроль процесса. Стабильность привнесенной дефектности
Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок
Печать/PDF

EPI-AN300 — кластерное оборудование для эпитаксиального роста слоёв кремния (Si) и германия (Ge) на подложках диаметром 200 и 300 мм. Поддерживает процессы как эпитаксии при пониженном давлении, так и стандартного роста при атмосферном давлении. Модульная конструкция позволяет конфигурировать установку 2–4 независимыми камерами и адаптировать производительность системы под различные задачи при производстве логических схем, силовых компонентов, МЭМС и фотонных устройств.

Особенности

  • Модульная конструкция системы
  • Рост эпитаксиальных слоев в условиях атмосферного (ATM) и пониженного давления (RP)
  • Применение камеры предварительной обработки (pre-treatment) перед процессом эпитаксии для улучшения свойств получаемых плёнок
  • Различные типы легирования
  • Программное обеспечение собственной разработки для контроля параметров процесса

  • Диаметр пластин: 200 - 300 мм
  • Размещение до четырех рабочих модулей
  • Рабочий модуль, рассчитанный на обработку одной пластины за цикл
  • Рабочий модуль малого объема для минимизации риска образования частиц и дефектов
  • Получаемые плёнки: Si, Ge с легированием P- или N-типа
  • Использование TCS/DCS в качестве источников кремния и H2 в качестве продувочного газа
  • Круговое расположение ИК-ламп для эффективного нагрева подложки и однородности теплового поля
  • Диапазон рабочих температур: от комнатной до 1200 °C (доступна настройка под конкретные задачи)
  • Вакуумная система: форвакуумный насос (dry pump), позволяющий проводить откачку водорода (H2)
  • Система точного контроля давления в рабочей камере
  • Скорость роста слоя Si: до 4,5 мкм/мин.
  • Параметры процесса на примере пленки Si толщиной 10 мкм:
    • неоднородность толщины по пластине: <3 %
    • неоднородность толщины между пластинами (1 σ): <1 %
    • привносимая дефектность: <0,3 шт./см2.
    • отсутствие линий скольжения, царапин, сколов после процесса



1Лист запросов
В лист запросов →
+7 495 788-44-44
Сервисный центр
8 800 700-39-39
© 2020 ООО «Остек-ЭК»
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить