Система МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) AIXTRON 2800 G4

AIXTRON 2800 G4 — промышленная система газофазного осаждения с использованием металлоорганических прекурсоров (МОС-гидридная эпитаксия, MOCVD). Разработана для высокопроизводительного выращивания гетероструктур на пластинах диаметром до 8 дюймов. Может быть сконфигурирована под конкретные материалы и задачи: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитрид галлия (GaN). Платформа построена с использованием реактора планетарного типа с горизонтальным потоком газа, что обеспечивает высокий контроль толщины и точность состава слоев. Может применяться в области оптоэлектроники (лазерные диоды, детекторы, светодиодные чипы), СВЧ-электроники (усилители мощности для базовых станций и радаров), солнечных ячейках и батареях.

Особенности

• Работа с подложками различного диаметра (2÷8″). Групповая загрузка подложек на сателлиты и держатель (susceptor)
• Высокотемпературный реактор с горизонтальной подачей ламинарного потока через специальный инжектор
• Возможность быстрой замены внутренней оснастки реактора, что облегчает процесс чистки и перенастройки с одного типа выращиваемых материалов на другой