Система одностороннего совмещения и экспонирования MA-150 / MA-150DS

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система одностороннего совмещения и экспонирования MA-150 / MA-150DS

Стол совмещения и экспонирования с вакуумным держателем

Работа источника экспонирующего излучения

Система двухстороннего совмещения в видимом спектре

6-точечный вакуумный держатель для ИК-совмещения

Проявленный рисунок с радиальными периодическими структурами толщиной 0,5 мкм

Квадраты со стороной 5 мкм на толстом фоторезисте 10 мкм

Экспонирование квадратов со стороной 30 мкм на толстом негативном фоторезисте SU8 толщиной 300 мкм

PSS*- паттернирование сапфировых подложек структурой из полусфер диаметром 3 мкм *(Patterned Sapphire Substrate – методика нанесения микроузора на подложки сапфира для последующей эпитаксии GaN и производства LED

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

MA-150 — установка одностороннего совмещения и экспонирования для работы с фоторезистами, чувствительными к УФ-излучению I-, G- и H-линий, и широкой номенклатурой типоразмеров подложек. Разработана для НИОКР и мелкосерийного производства, обладает опцией совмещения по обратной стороне MA-150DS для работы с пластинами из непрозрачных материалов и стеками пластин.

Особенности

Hg- или LED-источники экспонирующего излучения I-, G- и H-линий, область экспонирования до Ø6 дюймов
Работа с пластинами до Ø6 дюймов, а также с подложками прямоугольного типа и кусочками пластин
Мощность стандартного источника излучения: 350 Вт, оснащение двухканальным источником питания c работой в режиме постоянной мощности или постоянной интенсивности. По запросу: источники излучения мощностью 500, 1000 или 2000 Вт, от ближнего (NUV) до глубокого (DUV) УФ-излучения
Системы совмещения на базе ПЗС-камер в однопольном или двупольном исполнениях с оптическим и цифровым увеличением
Возможность оснащения системой автоматического совмещения
Опция MA-150DS: система двухстороннего совмещения в ИК (BSIR) или видимом (BSV) спектрах

Однородность засветки:

< ±1 % по пластине Ø2″
< ±2 % по пластине Ø4″
< ±3 % по пластине Ø6″

Разрешение экспонирования:

< 0,6 мкм для вакуумного/жёсткого контакта в ближнем УФ (NUV-экспонирование)
< 0,4 мкм* для вакуумного/жёсткого контакта в глубоком УФ (DUV-экспонирование)

* при условиях: длина волны 220 нм, толщина резиста 250 нм, пластина Ultra Flat при первой печати

Точность совмещения:

одностороннее: +/- 0,5 мкм
ИК-совмещение по обратной стороне: ≤ 2 мкм
совмещение по обратной стороне в видимом спектре: ≤1 мкм

Работа с позитивными и негативными ФР, в том числе большой толщины
Режимы экспонирования: мягкий, жесткий, вакуумный контакты, экспонирование с микрозазором

Выходная интенсивность источника ближнего УФ-излучения (NUV) мощностью 350 Вт:

365 нм — 20-22 мВт/см²
400 нм — 40-45 мВт/см²
436 нм — 10-12 мВт/см²

Система одностороннего совмещения и экспонирования MA-150 / MA-150DS

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование