PSC-300 — высокопроизводительная система кластерного типа для плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок (SiO₂, SiNₓ и SiON). Конфигурация рабочего модуля предполагает сдвоенною камеру (архитектура Twin-Chamber), а транспортный модуль системы позволяет подключать до четырех процессных модулей PECVD/SACVD, что обеспечивает высокую пропускную способность за счет параллельной обработки до восьми пластин.
Особенности
Для серийного производства на пластинах диаметром 300 мм. Обработка пластин Ø 150÷200 мм может быть реализована при помощи сменных комплектов оснастки рабочих модулей или использования специальных держателей
Процессы осаждения слоев на базе SiH4 или TEOS
Архитектура Twin-Chamber для одновременной обработки двух пластин
Использование системы генераторов с разной частотой (ВЧ и НЧ) для контроля напряженности слоев
Регулируемое расстояние между электродами для точного контроля однородности осаждения
Использование удалённого источника плазмы (RPS) для эффективной очистки камеры после осаждения
Пятигранная платформа транспортного модуля
Программное обеспечение собственной разработки
Модуль
Характеристики
Источник для чистки
RPS
In-situ очистка, снижение частоты ТО
Генератор рабочего модуля
ВЧ
13,56 МГц, 2000 Вт
НЧ
430 кГц, 1000 Вт
Рабочий стол
Al
Вариант 1: 250 ÷ 390 °C
Низкие температуры
Вариант 2: 50 ÷ 200 °C
Высокие температуры
Вариант 3: 300 ÷ 550 °C с ESC
Газовая система
Душ
50 ÷ 230 °C
Для процессов на TEOS
TEOS, O2, N2, Ar, NF3
для процессов на SiH4
SiH4, N2O, NH3, N2, Ar, NF3, H2
Подъемная система
Lift
Контролируемый зазор (точность ±0,01 мм)
Запросить в один клик
Заказать звонок
Запрос оборудования на тестирование
?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.