Система плазмохимического травления с индуктивно-связанной плазмой (ICP)

ICP-травление широко применяется для формирования микро-/наноструктур и позволяет достигать высоких скоростей травления, селективности и минимального повреждения слоев, вызванным действием плазмы. Благодаря высокой однородности процесса (< 5 %) и возможности контроля профиля, ICP-системы ICP-SC широко применяются в травлении таких материалов, как: Si, SiO2, SiNx, металлов и соединений A3B5. ICP-травление применимо и для формирования различных микро-/наноструктур при производстве систем со сверхбольшой степенью интеграции (VLSI), МЭМС, оптических волноводов и фотоэлектронных устройств.

Особенности

• Предназначена для серийного производства и НИОКР, доступна в кластерном или однокамерном исполнениях
• Разработана для пластин диаметром до 200 мм. Обработка пластин Ø 100-150 мм реализована при помощи сменных комплектов оснастки рабочих модулей
• Возможно различное применение, включая кремниевые, магнитные или металлические материалы и слои, а также материалы группы A3B5
• Контроль однородности травления с опциями атомно-слоевого травления (ALE)