Система проекционной литографии ASML PAS5500/350С

ASML PAS 5500/350C — высокоточная система проекционной литографии для фотолитографического процесса в производстве полупроводников. Использует источник излучения KrF (криптон-фторид) с длиной волны 248 нм (глубокий ультрафиолет — DUV) для экспонирования фоторезиста через маску-реticle. Устройство реализует принцип step-and-repeat: пошаговое позиционирование и последовательная экспозиция различных участков кристалла кремния с коэффициентом уменьшения 1:4, обеспечивая воспроизведение микроэлектронных структур размером до 0,15 мкм с высокой повторяемостью и точностью совмещения слоев 28 нм.

Уникальное преимущество PAS 5500/350C состоит в его исключительной гибкости и возможности адаптации для различных применений: от производства микросхем общего назначения до специализированных МЕМС-устройств, фотонных интегральных схем, датчиков и высокочастотных компонентов. Система поддерживает работу с пластинами диаметром 150 и 200 мм, позволяя производителям масштабировать производство без больших капитальных затрат на замену оборудования. Возможность модернизации — включая опции front-to-backside alignment, через-кремниевых переходов (TSV) и улучшенного совмещения слоёв — позволяет инвестициям в эту платформу окупаться в течение многих поколений технологии. Более того, доступность спецификации PAS 5500/350C и современное обслуживание делают её идеальным решением для производственных мощностей на развивающихся рынках, где соотношение цена-производительность критично.

Особенности

• Длина волны: 248 нм
• Апертура: 0,4-0,63
• Интенсивность излучения: 225 мВт/см²
• Неравномерность экспонирования: ≤1,4 %
• Уменьшение размера с фотошаблона: 4:1
• Разрешение нового степпера: 0,15 мкм
• Разрешение восстановленного степпера: 0,25 мкм
• Размер кадра экспонирования (квадрат): 22×22 мм
• Размер кадра экспонирования (прямоугольник): 27,4×14,7 мм
• Точность совмещения: ≤28 нм
• Производительность: 88 пл./час (8″)