ASML TWINSCAN NXE:3400B — литографическая система для экстремального ультрафиолетового диапазона (EUV), предназначенная для формирования наиболее критических слоев современных микросхем. Процесс EUV-литографии кардинально отличается от традиционного. В качестве источника света используется плазма, генерируемая лазером из капель олова (Sn), которая испускает излучение с длиной волны 13.5 нм. Поскольку это излучение сильно поглощается любым материалом, включая воздух, весь оптический путь системы — от источника до пластины — находится в высоком вакууме. Вместо преломляющих линз используются высокоточные зеркала производства Carl Zeiss с многослойным молибден-кремниевым (Mo/Si) покрытием, которые отражают EUV-свет за счет эффекта Брэгговской дифракции. Рисунок схемы формируется с помощью отражающей, а не пропускающей фотомаски, и проецируется на кремниевую пластину, покрытую фоторезистом. Система основана на революционной платформе TWINSCAN, которая использует два независимых стола для пластин: пока на одном столе происходит экспонирование текущей пластины, на другом столе выполняется высокоточное измерение и выравнивание следующей, что значительно повышает общую производительность.
NXE:3400B является первой в мире EUV-системой, готовой для серийного производства, и открывает путь к технологическим нормам 7 и 5 нм. До ее появления переход к столь малым размерам требовал использования сложных и дорогостоящих методов многократного экспонирования на установках глубокого ультрафиолета (DUV). NXE:3400B позволяет формировать самые мелкие структуры за один проход, упрощая процесс изготовления, повышая выход годных кристаллов и сокращая общую стоимость владения для наиболее сложных слоев микросхем.
Особенности
- Разрешение нового сканера: 13 нм
- Разрешение восстановленного сканера: 28 нм
- Длина волны излучения: 13,5 нм
- Числовая апертура: 0,33
- Производительность: >120 пластин в час
- Диаметр обрабатываемых пластин: 300 мм
- Точность совмещения слоев: 1,4 нм
- Размер кадра экспонирования: 26 х 33 мм
Печать/PDF