Nikon NSR-2205i14E2 — система проекционной фотолитографии — это идеальное решение для фабрик, требующих высокой пропускной способности при сохранении критической точности. С разрешением 0,35 микрометра и числовой апертурой 0,63 этот степпер превосходит требования производства микросхем 350-нанометрового технологического узла и способен производить 103 пластины в час при работе с 200-миллиметровыми пластинами. Усовершенствованная система освещения модифицированной геометрией обеспечивает оптимизацию различных процессных параметров, позволяя получить максимальное качество изображения даже при работе с самыми требовательными маскирующими структурами. Это делает NSR-2205i14E2 незаменимым инструментом для производства DRAM-памяти и логических микросхем в условиях полной загрузки производственных мощностей.
Надежность проектирования интегральных схем напрямую зависит от точности наложения слоев при последовательной фотолитографии. NSR-2205i14E2 обеспечивает точность совмещения 40 нанометров или лучше (3σ) благодаря интегрированной системе лазерных интерферометров двойного луча и передовым алгоритмам коррекции углового поворота кристалла на пластине. Система автоматической фокусировки с множественными контрольными точками и программный контроль базовых измерений гарантируют, что каждая экспозиция размещается с нанометровой точностью. Инженеры процесса могут достичь совмещения менее 15 нанометров на продукте даже при использовании сложных stitching-процедур, обеспечивая превосходную урожайность и надежность устройств.
Наличие опций для различных систем выравнивания (стандартные LSA и FIA, а также опциональная LIA) позволяет NSR-2205i14E2 адаптироваться к специфическим требованиям любого производства. Усовершенствованная система освещения с переменной числовой апертурой и технология Resolution Enhanced Technology (RET) обеспечивают мастерство работы как с базовыми, так и со средними слоями топологии. Степпер легко интегрируется в существующие производственные линии, поддерживает пластины различного диаметра и архитектуры, а его модульная конструкция позволяет оптимизировать расположение оборудования в cleanroom. Расширенное ПО для оценки измерений и технического обслуживания предоставляет полный контроль над параметрами процесса и позволяет предиктивно диагностировать потенциальные проблемы до их возникновения.
Особенности
- Возможность in-Line-стыковки с системами нанесения и проявления фоторезиста
- Разрешение нового степпера: 0,35 мкм
- Разрешение восстановленного степпера: 0,5 мкм
- Размер кадра экспонирования: 22 х 22 мм / 17,9 х 25,2 мм
- Источник излучения: i-line 365 нм
- Работа с пластинами до 200 мм
- Точность наложения слоев: ≥ 40 нм
- Производительность: ≥ 100 пл./час