BRIon-E8 — система реактивного ионно-лучевого травления для формирования решеток и наклонных профилей (grating) в структурах, для травления магнитных материалов (ячейки MRAM), а также для обработки нелетучих материалов и соединений (Pt, Au, Ir, NiFe, CoFe и др.). Система реактивного ионно-лучевого травления (RIBE) добавляет химические реакции в стандартный IBE-процесс, позволяя достигать более высоких скоростей травления и большей селективности к маске. Держатель пластин может быть наклонён для изменения направления воздействия и достижения заданного угла наклона стенок травления. Поскольку энергия луча и поток ионов могут быть независимо настроены, BRIon-E8 достигает лучшего контроля при формировании рисунка. Система может быть применена для травления нестандартных профилей и трудных в обработке материалов.
Особенности
Разработана для серийного производства и ОКР
Ионный источник стандартного диаметра обеспечивает высокую однородность процесса травления (менее 3 % в пределах 1σ). Опционально доступен ионный источник большого диаметра, снижающий неоднородность процесса травления до менее, чем 1,5 %
Энергия и поток ионного луча могут настраиваться независимо
Быстрая скорость травления и высокая селективность благодаря реактивным рабочим газам
Осевое вращение столика улучшает симметричность процесса
Система реактивного ионно-лучевого травления доступна в кластерном или однокамерном исполнениях
Разработана для пластин диаметром до 200 мм. Обработка пластин Ø 100-150 мм реализована при помощи сменных комплектов оснастки рабочих модулей
Ионный источник: ICP-источник, частота 13,56 МГц, энергия пучка до 2000 эВ
Угол отклонения подложкодержателя: от −90° до +80° для травления под разным углом и формирования наклонных профилей
Вращение подложкодержателя: 0 ÷ 20 об/мин
Температура подложкодержателя: 5 ÷ 35 ⁰С
Электростатический прижим пластин (ESC)
Подвод гелия к обратной стороне пластины
Опциональный модуль контроля окончания процесса (EPD)