Проекционная

ASML PAS 5500/100D — это проекционный i-line степпер для фотолитографии. Установка использует ртутную лампу с длиной волны 365 нм для формирования на кремниевой пластине микроскопических структур с проектными нормами до 0,3 — 0,4 микрон. Процесс включает точное позиционирование пластины (шаг), совмещение её с фотошаблоном (маской) и последующую экспозицию ультрафиолетовым светом для переноса схемы. Аппарат предназначен для обработки пластин диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов.

ASML PAS 5500/100D — эталон надёжности и рентабельности для производств, не требующих самых передовых техпроцессов, но нуждающихся в высочайшей стабильности и низкой стоимости владения.

ASML PAS 5500/350C — высокоточная система проекционной литографии для фотолитографического процесса в производстве полупроводников. Использует источник излучения KrF (криптон-фторид) с длиной волны 248 нм (глубокий ультрафиолет — DUV) для экспонирования фоторезиста через маску-реticle. Устройство реализует принцип step-and-repeat: пошаговое позиционирование и последовательная экспозиция различных участков кристалла кремния с коэффициентом уменьшения 1:4, обеспечивая воспроизведение микроэлектронных структур размером до 0,15 мкм с высокой повторяемостью и точностью совмещения слоев 28 нм.

193-нм DUV-литография — процесс высокоточного переноса микроэлектронных структур на кремниевую подложку с использованием глубокого ультрафиолетового излучения (193 нм) на основе лазера ArF (фторид аргона). Система работает по принципу step-and-scan (шаг-сканирование), при котором пластина последовательно позиционируется и сканируется лучом излучения для экспонирования фоторезиста через маску. Этот процесс обеспечивает достижение разрешения 90 нм и позволяет получать структуры при технологических нормах производства 90-нм интегральных схем с высокой надежностью и минимальной погрешностью передачи рисунка.

ASML TWINSCAN NXE:3400B — литографическая система для экстремального ультрафиолетового диапазона (EUV), предназначенная для формирования наиболее критических слоев современных микросхем. Процесс EUV-литографии кардинально отличается от традиционного. В качестве источника света используется плазма, генерируемая лазером из капель олова (Sn), которая испускает излучение с длиной волны 13.5 нм. Поскольку это излучение сильно поглощается любым материалом, включая воздух, весь оптический путь системы — от источника до пластины — находится в высоком вакууме. Вместо преломляющих линз используются высокоточные зеркала производства Carl Zeiss с многослойным молибден-кремниевым (Mo/Si) покрытием, которые отражают EUV-свет за счет эффекта Брэгговской дифракции. Рисунок схемы формируется с помощью отражающей, а не пропускающей фотомаски, и проецируется на кремниевую пластину, покрытую фоторезистом. Система основана на революционной платформе TWINSCAN, которая использует два независимых стола для пластин: пока на одном столе происходит экспонирование текущей пластины, на другом столе выполняется высокоточное измерение и выравнивание следующей, что значительно повышает общую производительность.

ASML TWINSCAN NXT:2000i — современная установка иммерсионной литографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (DUV) для серийного производства 300-мм кремниевых подложек. Принцип работы основан на проекции схемы с фотошаблона на пластину. Для увеличения разрешения система использует иммерсионную технологию: пространство между последней линзой проекционной оптики и поверхностью пластины заполнено высокоочищенной водой. Это повышает эффективную числовую апертуру (NA) системы до 1,35, что позволяет достигать разрешения элементов схемы до 38 нм. Установка оснащена двумя независимыми этапами (платформа TWINSCAN): пока один этап выполняет экспонирование пластины, второй проводит высокоточные измерения позиционирования и выравнивания следующей пластины, что обеспечивает максимальную производительность.

Canon FPA-6300ES6a — современный литографический сканер, использующий глубокий ультрафиолетовый (DUV) эксимерный лазер на фториде криптона (KrF) с длиной волны 248 нм. Оборудование предназначено для проецирования изображений на кремниевые пластины диаметром 200 мм и 300 мм с высокой точностью и скоростью. Сканер обеспечивает разрешение до 90 нм и выдающуюся точность совмещения (оверлей) вплоть до ≤5 нм при использовании опциональных улучшений. Благодаря усовершенствованной оптической системе с переменной числовой апертурой (NA) от 0,50 до 0,86 и высокой производительности (более 200 пластин в час для 300-мм пластин с опциями) FPA-6300ES6a является ключевым решением для массового производства современных полупроводниковых устройств.

Особенности

• Разрешение: 90 нм
• Точность наложения слоев: 5 нм
• Изменяемая апертура: 0,5 — 0,86
• Источник излучения: KrF 248 нм
• Производительность: >200 пл./час

Canon FPA-3030EX6 — степпер глубокого ультрафиолета (DUV), использующий KrF эксимерный лазер с длиной волны 248 нм. Установка проецирует изображение с фотошаблона на подложки диаметром до 200 мм с 5-кратным уменьшением, формируя структуры с разрешением до 150 нм. Предназначена для экономичного массового производства устройств для Интернета вещей (IoT), силовой электроники, аналоговых микросхем и датчиков, поддерживая работу с широким спектром специальных подложек.

Canon FPA-5510iX — передовая оптическая установка i-line степпера для фотолитографии, предназначенная для высокоточного нанесения рисунка на большие пластины в производстве полупроводниковых структур. Позволяет осуществлять экспонирование на областях, превышающих стандартные размеры чипов, что идеально подходит для изготовления крупных микросхем, устройств MEMS и сенсоров. Основные параметры включают разрешение до 0,5 мкм (500 нм), площадь экспонирования 52 × 56 мм и точность совмещения ≤50 нм.

Проекционная литография — ключевая технология на этапе фронтальной обработки полупроводниковых пластин. Система Canon FPA-5550iZ2 использует i-line излучение (длина волны 365 нм) для формирования топологического рисунка на кремниевых пластинах диаметром 200 и 300 мм. Оборудование проецирует изображение с фотошаблона через высокоточную оптическую систему с коэффициентом уменьшения 4:1, обеспечивая разрешение до 350 нм. Каждый слой интегральной схемы создается путем последовательного экспонирования, совмещения с предыдущими слоями и воспроизведения сложных микроструктур необходимых для современных электронных устройств.

Nikon NSR-2205EX14D — высокопроизводительная установка проекционной литографии, разработанная специально для производства полупроводниковых устройств в диапазоне технологических норм от 0,5 до 0,18 микрометра. Оборудование воплощает десятилетия опыта компании Nikon в создании прецизионных литографических систем, обеспечивая исключительный уровень надежности и стабильности. Установка оснащена передовой оптической системой на основе KrF-эксимерного лазера с длиной волны 248 нм, который позволяет достичь разрешения, необходимого для современного производства микросхем. Возможна полная интеграция с существующим оборудованием, что позволяет использовать установку как для дополнения текущего производственного парка, так и для замены устаревших систем без необходимости переквалификации персонала.

Nikon NSR-2205i14E2 — система проекционной фотолитографии — это идеальное решение для фабрик, требующих высокой пропускной способности при сохранении критической точности. С разрешением 0,35 микрометра и числовой апертурой 0,63 этот степпер превосходит требования производства микросхем 350-нанометрового технологического узла и способен производить 103 пластины в час при работе с 200-миллиметровыми пластинами. Усовершенствованная система освещения модифицированной геометрией обеспечивает оптимизацию различных процессных параметров, позволяя получить максимальное качество изображения даже при работе с самыми требовательными маскирующими структурами. Это делает NSR-2205i14E2 незаменимым инструментом для производства DRAM-памяти и логических микросхем в условиях полной загрузки производственных мощностей.