Фильтр
Установка односторонней шлифовки-полировки SGP520

SGP520 — система для высокоточных односторонних шлифовки и полировки карбида кремния, сапфира, кремния, германия, ниобата лития, стекла, керамики, молибдена и других твердых и хрупких полупроводниковых материалов.

Характеристики
Установка двухсторонней шлифовки-полировки DSLP630

DSLP630 — установка для высокоточной и стабильной двухсторонней шлифовки и полировки пластин. Благодаря использованию различных вариаций шлифовальных дисков, а также абразивных суспензий система подходит для двухсторонней обработки пластин и изделий из широкого спектра полупроводниковых и иных материалов, требующих обработки с высокой степенью качества поверхностей.

Характеристики
Установка двухсторонней шлифовки-полировки DSLP1100

DSLP1100 — установка для высокоточной и стабильной двухсторонней шлифовки и полировки пластин. Благодаря использованию различных вариаций шлифовальных дисков, а также абразивных суспензий (в т. ч. химически активных для проведения химико-механической полировки) система подходит для двухсторонней обработки пластин и изделий из широкого спектра полупроводниковых и иных материалов, требующих обработки с высокой степенью качества поверхностей.

Характеристики
Установка двухсторонней шлифовки-полировки DSLP1210

DSLP1210 — установка для высокоточной и стабильной двухсторонней шлифовки и полировки пластин. Благодаря использованию различных вариаций шлифовальных дисков, а также абразивных суспензий (в т. ч. химически активных для проведения химико-механической полировки) система подходит для двухсторонней обработки пластин и изделий из широкого спектра полупроводниковых материалов, стёкол и иных материалов, требующих обработки с высокой степенью качества поверхностей.

Характеристики
Установка двухсторонней шлифовки-полировки DSLP1485

DSLP1485 — установка для высокоточной и стабильной двухсторонней шлифовки и полировки пластин. Благодаря использованию различных вариаций шлифовальных дисков, а также абразивных суспензий (в т. ч. химически активных для проведения химико-механической полировки) система подходит для двухсторонней обработки пластин и изделий из широкого спектра полупроводниковых и иных материалов, требующих обработки с высокой степенью качества поверхностей.

Характеристики
Установка односторонней шлифовки-полировки mSiSP2

mSiSP2 — серия установок для односторонней полировки пластин до Ø150 мм. Установки оснащены системой охлаждения и контроля температуры обрабатывающего диска, что обеспечивает её постоянное поддержание во время процесса. Благодаря простому в эксплуатации управлению и конфигурациям различных типов обрабатывающих дисков и суспензий оборудование используется для шлифовки и полировки пластин и изделий из полупроводниковых материалов, меди, олова, стекла и нержавеющей стали.

Характеристики
Установка односторонней шлифовки-полировки SiSP2

SiSP2 — серия установок высокоточной односторонней шлифовки и полировки пластин с двумя головами-держателями для обработки сразу нескольких пластин на каждой. Установки оснащены системой охлаждения и контроля температуры обрабатывающего диска, что обеспечивает её постоянное поддержание во время процесса. Возможно удержание пластин с использованием адгезива (wax-bond) или без него (wax-free) с помощью адсорбции. Благодаря простому управлению и конфигурациям различных типов обрабатывающих дисков и суспензий оборудование используют для шлифовки и полировки пластин и изделий из полупроводниковых материалов, меди, олова, стекла и нержавеющей стали, возможно также применение различных типов полировальных суспензий.

Характеристики
Установка односторонней шлифовки-полировки SiSP4

SiSP4 — серия установок, включающая оборудование высокоточной шлифовки и полировки пластин для массового производства. Четыре керамических держателя позволяют обработку сразу нескольких пластин до Ø200 мм на каждой. Установки используют для проведение процесса с использованием адгезива (wax-bond) или без него (wax-free) благодаря поддержке адсорбционной фиксации пластин. С помощью множества типов обрабатывающих дисков и суспензий машины могут выполнять эффективную шлифовку и полировку различных полупроводниковых материалов.

Характеристики
Установка формирования фаски на полупроводниковых пластинах

CMS3000 — установка для шлифования фаски на кромках полупроводниковых пластин. Поддерживает обработку Ø4″, Ø6″ и Ø8″ пластин, имеет возможность обработки базового среза (OF). Также доступна функция обработки V-notch по запросу. Обеспечивает высокие точность, эффективность и стабильность процесса.

Характеристики
Система однопроволочной резки слитков (раскроя)

SWS-24 — система для раскроя полупроводниковых слитков диаметром Ø8-24 дюйма и максимальной длиной до 2600 мм. Использует алмазную проволоку для резки слитка на цилиндры и отрезки прямого и обратного конусов, обеспечивая высокие эффективность резки и качество цилиндров.

Характеристики
Установка многопроволочной резки (раскроя) заготовок из магнитных материалов

CWA-20 — установка для раскроя слитков из магнитных материалов с возможностью свободной регулировки расстояния между проволоками, простой и удобной заменой расходных материалов, высокой эффективностью и точностью резки.

Характеристики
Установка резки слитков кольцевой проволокой

LWC65 — решение для торцевания и резки на цилиндры слитков и брикетов кремния для дальнейшей обработки. Высокая точность процесса резки превосходно сочетается с экономичностью системы.

Характеристики

?>
Сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie.
ПринятьНастроитьОтклонить