SPC-200 — полностью автоматическая кластерная система магнетронного распыления для крупносерийного производства. Возможна установка до трех процессных модулей для проведения широкого круга процессов с высокой производительностью. Применяется для осаждения тонких плёнок материалов на пластины Ø150 и Ø200 мм для применения в таких областях, как: полупроводники, дисплеи, оптика, фильтры и электронные компоненты, солнечные элементы и т. д. Позволяет работать с различными типами подложек, например, полупроводниковыми пластинами, плёнками, а также подложками из стекла, пластика, металла и других материалов. Возможно оснащение одной или двумя рабочими камерами с конфигурациями по три или пять мишеней в каждой, модулем плазменной очистки, модулем загрузки/выгрузки и транспортировочным модулем с роботом для перемещения пластин.
- Поддержка работы с пластинами Ø100 ÷ Ø200 мм
- Возможность установки отдельной станции охлаждения пластин
- Использование модулей загрузки-выгрузки для кассет
- Высокоточный вакуумный робот
- Отклонение при транспортировке пластин ≤ ± 0,5 мм
- Вакуумная система транспортного модуля и модулей загрузки/выгрузки — турбомолекулярный насос (ТМН) + безмасляный форвакуумный насос
- Смотровое окно на верхней панели транспортного модуля
- До трех процессных модулей (два модуля распыления + один модуль плазменной обработки)
- Рабочая камера модуля распыления с возможностью размещения трех или пяти мишеней
- Расположение магнетрона рабочей поверхностью вниз
- Регулируемое расстояние от источника до подложки: 50 ÷ 200 мм
- Механическая регулировка угла наклона мишени
- Применение различных источников питания магнетронов в зависимости от материала (DC, RF, HiPIMS)
- Осаждаемые материалы: Cu, W, Ta(N), Ti(N), Al, Al2O3, SiOx, SiNx, Nb и др.
- Неоднородность толщины пленки: < ± 5 %
- Независимые электропневматические заслонки на мишенях
- Нагреваемый держатель пластин до 550 °С
- Затвор для подложкодержателя
- Привод вращения с регулируемой скоростью
- Вакуумная система рабочего модуля — криогенный насос + безмасляный форвакуумный насос
- Дополнительные функции: дегазация, ионизация, нагрев, охлаждение, плазменная обработка, травление, in-situ контроль процесса
- Габариты установки (Ш х Г х В): 4400×2450×1800 мм
- Требования к подключению:
- 220 В, 3 фазы, 50 Гц, 200 А
- сжатый воздух / азот / процессные газы
- охлаждающая вода / вытяжка
Данные по техпроцессам (на пластинах Ø200 мм)
Осаждение W (мишень DC):
·
Неравномерность по пластине (WiW)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Ср. знач., нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
|
1#1
|
149.1
|
148.1
|
149.4
|
151.4
|
151.4
|
148.4
|
149.5
|
152.6
|
149.3
|
149.9
|
148.1
|
152.6
|
1.50
|
≤ 5%
|
|
1#10
|
148.7
|
149.3
|
148.1
|
148.7
|
148.2
|
147.9
|
150.9
|
150.8
|
149.2
|
149.1
|
147.9
|
150.9
|
1.02
|
≤ 5%
|
|
2#5
|
151.1
|
150.3
|
150.8
|
151.1
|
153.2
|
152.4
|
151.8
|
152.2
|
151.8
|
151.6
|
150.3
|
153.2
|
0.96
|
≤ 5%
|
Неравномерность от партии к партии (BtB)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
9
|
|
1#1
|
149.3
|
149.2
|
151.8
|
0.87
|
≤ 5%
|
|
1#10
|
149.2
|
|
2#5
|
151.8
|
Осаждение Al (мишень RF):
·
Неравномерность по пластине (WiW)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Ср. знач., нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
|
1#1
|
150.6
|
151.7
|
149.4
|
150.3
|
149.9
|
150.0
|
149.3
|
150.7
|
149.5
|
150.1
|
149.3
|
151.7
|
0.81%
|
≤ 5%
|
|
1#10
|
149.7
|
150.8
|
151.2
|
152.2
|
150.3
|
152.0
|
151.2
|
151.8
|
150.2
|
151.1
|
149.7
|
152.2
|
0.84%
|
≤ 5%
|
|
2#5
|
151.1
|
151.8
|
152.2
|
150.3
|
150.7
|
151.6
|
151.0
|
150.7
|
150.1
|
151.1
|
150.1
|
152.2
|
0.69%
|
≤ 5%
|
Неравномерность от партии к партии (BtB)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
9
|
|
1#1
|
149.5
|
149.5
|
150.2
|
0.23%
|
≤ 5%
|
|
1#10
|
150.2
|
|
2#5
|
150.1
|
Осаждение SiO2 (мишень RF):
Неравномерность по пластине (WiW)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Ср. знач., нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
|
1#5
|
69.4
|
68.3
|
66.4
|
67.5
|
67.9
|
69.6
|
65.5
|
67.2
|
69.4
|
67.9
|
65.5
|
69.6
|
3.07
|
≤ 5%
|
|
2#5
|
67.7
|
67.0
|
68.9
|
68.2
|
67.4
|
65.6
|
65.4
|
65.7
|
67.7
|
68.5
|
65.4
|
68.9
|
2.61
|
≤ 5%
|
Неравномерность от партии к партии (BtB)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
9
|
|
1#1
|
67.9
|
67.9
|
68.5
|
0.43
|
≤ 5%
|
|
2#5
|
68.5
|
Осаждение NbN (мишень DC):
Неравномерность по пластине (WiW)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Ср. знач., нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
|
1#5
|
151.8
|
154.0
|
152.7
|
153.0
|
154.2
|
151.7
|
150.9
|
151.5
|
149.7
|
152.1
|
149.7
|
154.2
|
1.49
|
≤ 5%
|
|
1#10
|
150.0
|
150.8
|
153.3
|
153.4
|
150.4
|
153.1
|
152.7
|
151.5
|
150.2
|
151.7
|
150.0
|
153.4
|
1.11
|
≤ 5%
|
|
2#5
|
152.4
|
151.3
|
150.0
|
153.1
|
151.9
|
154.2
|
152.1
|
150.3
|
151.7
|
151.9
|
150.0
|
154.2
|
1.39
|
≤ 5%
|
Неравномерность от партии к партии (BtB)
|
Партия, пластина
|
Толщина, нм
|
Min
|
Max
|
Неравномерность (%)
|
Граница
|
|
Точка измерения
|
|
9
|
|
1#1
|
149.7
|
149.7
|
151.7
|
0.69
|
≤ 5%
|
Печать/PDF