Плазмохимическое осаждение

Серия PECVD-систем OmniCVD-8 с помощью плазмы, cгенерированной разрядом в плоскопараллельной системе, может осаждать тонкие плёнки диоксида кремния, TEOS, BPSG, нитрида кремния, аморфного кремния, аморфного углерода, аморфного карбида кремния и других материалов при температурах не выше 500 °С. Формируемые плёнки имеют сравнительно высокую плотность и однородность. Система обладает высокой пропускной способностью.

Серия систем SuperCVD-8 плазмохимического осаждения из газовой фазы с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP-CVD) позволяет формировать высокоплотную плазму и использовать напряжение смещения на подложкодержатель. Таким образом, ICP-CVD-осаждение плёнок происходит при низких температурах, обеспечивая высокую плотность пленок, низкое повреждение поверхности и высокую заполняющую способность.

Depo-C+ — система плазмохимического осаждения, которая позволяет осаждать тонкие плёнки диоксида кремния (из моносилана или TEOS), нитрида кремния и других материалов при температурах не выше
400 °С. Возможна реализация камер для низкотемпературного осаждения (<100 ⁰C, системы ICP-CVD).

Позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN и др.). Может быть применена для производства интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, а также при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5.

PSC-300 — высокопроизводительная система кластерного типа для плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок (SiO₂, SiNₓ и SiON). Конфигурация рабочего модуля предполагает сдвоенною камеру (архитектура Twin-Chamber), а транспортный модуль системы позволяет подключать до четырех процессных модулей PECVD/SACVD, что обеспечивает высокую пропускную способность за счет параллельной обработки до восьми пластин.

PECVDS-4 — установка для плазмохимического осаждения тонких плёнок соединений кремния с загрузкой по одной пластине. Дает возможность осаждать такие слои, как: α-Si, SiO₂, SixNy, PSG, BPSG. Транспортный модуль системы позволяет подключение до двух процессных модулей PECVD/SACVD и автоматическое перемещение пластин на протяжении всего процесса. Обеспечивает разнообразие техпроцессов, простоту обслуживания и отличные характеристики тонких пленок.

PECVDS-8 — платформа для плазмохимического осаждения тонких плёнок с жесткой несущей рамой и кластерной компоновкой, которая позволяет интегрировать до четырех реакционных камер и двух камер охлаждения вокруг центрального транспортного модуля. Такая компоновка минимизирует занимаемую площадь, снижает вибрации и обеспечивает непревзойденную гибкость конфигурации за счет возможности установки процессных модулей разного типа и возможность последовательной обработки пластин в разных процессах без разрыва вакуума.

PECVDM — установка для плазмохимического осаждения тонких плёнок с групповой обработкой пластин. Представляет специальную многопозиционную PECVD-платформу, разработанную для высокопроизводительного осаждения диэлектрических плёнок, и занимает нишу между однокамерными и крупносерийными кластерными системами. Позволяет проводить осаждение слоев на базе силана (SiH₄) или тетраэтилортосиликата (TEOS), чаще применяется для высокопроизводительного осаждения легированных слоёв (FSG, PSG, BPSG) и их стеков.

UTPE-150 — однокамерная система для плазмохимического осаждения из газовой фазы различных диэлектрических слоев на пластины диаметром до 150 мм. Разработана специально для нужд НИОКР.