Фильтр
Система ионной имплантации на средних токах CETC M5525-300 предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур в серийном производстве.
Система ионной имплантации на средних токах CETC M56700-1/UM, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур как в исследовательских целях, так и в серийном производстве на SiC подложках (и других).
Система ионной имплантации на средних токах CETC M58200-1/UM, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур как в исследовательских целях, так и в серийном производстве.
Система ионной имплантации на высоких энергиях CETC M561000-1/UM, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур в серийном производстве.
Система ионной имплантации на высоких энергиях HVE Tandetron, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур на малых, средних и больших токах и различных исследований.
Система высокотемпературной ионной имплантации на средних токах Ulvac IH-860, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур на SiC подложках (и других) как в исследовательских целях, так и в серийном производстве.
Система ионной имплантации на средних токах Ulvac IMX-3500, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур как в исследовательских целях, так и в серийном производстве.
Система ионной имплантации на средних токах Varian EHP-500, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур как в исследовательских целях, так и в серийном производстве.
Система ионной имплантации на средних токах с высокой скоростью Ulvac SOPHI 200/260, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур в серийном производстве.
Представленные системы ионной имплантации созданы для максимизации однородности доз и повторяемости. Это основные рабочие лошади производителей микрочипов. Оконечные секции, где происходит столкновение ионов с подложкой дают возможность имплантации под углами вплоть до 60°от нормали к поверхности подложки. Это особенно важно для определенных применений, где требуется частично ввести легирующие атомы под предварительно уже сформированную структуру.