Система магнетронного распыления MSS200

• Поддержка работы с пластинами Ø 100 мм – 200 мм
• Температура подложкодержателя до 500 °С
• Система подачи Ar к обратной стороне пластины для эффективной теплопередачи во время процесса
• Система прижима пластины
• Возможность работы с утонёнными пластинами (Taiko) благодаря системе подъёмных штифтов
• Возможность подачи смещения на подложкодержатель для заполнения структур с высоким аспектным соотношением
• Кластерное исполнение с возможностью подключения до шести камер (четыре камеры осаждения)
• Доступные процессы осаждения: Al, AlCu, AlSi, TiN, TiW, Ti, W, Co, Ni и др.
• Возможность подключения камер для плазмохимического осаждения (W-CVD и TiN-CVD)
• Удобное ПО с возможностью создания и редактирования рецептов, анализа данных процессов, формирования журналов и наличием интегрированных процедур для профилактического обслуживания процессных модулей

Конфигурация системы

• 4 камеры осаждения (PVD)
• 1 камера плазменной очистки
• 1 камера дегазации
• 1 модуль выравнивания
• 1 станция охлаждения
• 2 загрузочных модуля (VCE)