Фильтр
Система ICP-SCD разработана для процессов глубокого травления кремния для мелкосерийных производств и НИОКР на пластинах Ø 150 мм и 200 мм. Позволяет точно контролировать глубину травления, минимизируя при этом повреждения нижележащих слоёв. Глубокое травление кремния — широко распространённый процесс при производстве микро- и наноустройств. Система ICP-SCD позволяет проводить Bosch-процесс для формирования рисунка в кремнии с высоким аспектным соотношением (HARP). Система обладает высокой пропускной способностью.
MR200/2000/6000_ICP — серия установок для проведения процессов плазмохимического травления слоёв в индуктивно-связанной плазме. Дизайн системы и ее рабочих модулей позволяет настраивать профили травления и получать высокие показатели однородности травления. Применение различных конфигураций рабочих модулей дает возможность проводить травление диэлектрических и металлических слоёв, кремния, а также слоёв группы A3B5.
MR200/2000/6000_CCP — серия установок для проведения процессов плазмохимического травления диэлектрических слоёв в ёмкостно-связанной плазме. Дизайн рабочих модулей разработан для эффективного и однородного травления таких слоев, как: SiO2, Si3N4, SiON.
ET-SE — установка плазмохимического травления кремния и поликремния. Позволяет варьировать профиль травления от вертикального до конического, обладает хорошими показателями однородности и широким технологическим окном процесса, а также функцией автоматической очистки камеры между пластинами для уменьшения среднего времени между чистками (MTBC).
ET-DE — установка плазмохимического травления диэлектрических слоев. Обладает высокой скоростью травления, хорошими показателями однородности и широким технологическим окном процесса, а также функцией автоматической очистки камеры между пластинами для уменьшения среднего времени между чистками (MTBC).
ET-DSE — установка для глубокого травления кремния. Позволяет варьировать профиль травления от вертикального до конического, обладает хорошими показателями однородности и настройки техпроцесса (< 5 %), высокой скоростью травления слоев Si, широким технологическим окном процесса, а также функцией автоматической очистки камеры между пластинами для уменьшения среднего времени между чистками (MTBC).
ET-ME — кластерная установка плазмохимического травления металлических слоев с камерой антикоррозийной обработки. Позволяет управлять профилем травления, обладает хорошими показателями однородности, широким технологическим окном, а также функцией автоматической очистки камеры между пластинами для уменьшения среднего времени между чистками (MTBC).
ET-PME – установка плазмохимического травления фотошаблонов. Оптимизированная конструкция камеры позволяет точно контролировать получаемые критические размеры (CD), формируемые на фотошаблоне. Подходит для фотошаблонов различных размеров.
Система Plasma-E+ для проведения плазмохимического травления различных слоев, таких как: оксид и нитрид кремния, фоторезистивные слои и другие полимерные материалы, Si, SiC, поликремний, металлы. Может применяться при производстве интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, а также при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5. Конфигурация процессных модулей зависит от типа необходимого процесса травления, её выбирают, исходя из запроса заказчика (ICP/CCP/плазмохимическая или антикоррозионная обработка). Позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN, сапфир и др.).