Система плазмохимического травления (RIE, ICP-RIE)

Система Plasma-E+ разработана для проведения плазмохимического травления различных слоев, таких как: оксид и нитрид кремния, фоторезистивные слои и другие полимерные материалы, Si, SiC, поликремний, металлы. Может применяться при производстве интегральных схем, МЭМС, силовой электроники, а также при работе с полупроводниковыми соединениями группы А3В5. Конфигурация процессных модулей зависит от типа необходимого процесса травления, её выбирают, исходя из запроса заказчика (ICP/CCP/плазмохимическая или антикоррозионная обработка). Позволяет обрабатывать пластины из разных материалов (Si, SiC, GaAs, GaN, сапфир и др.).

Особенности

• Доступна в кластерном или однокамерном исполнениях для различного применения (массовое производство или НИОКР)
• Компактная конфигурация процессных модулей, сокращающая занимаемое пространство