Система электронно-лучевого испарения с одной камерой EBE-300

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система электронно-лучевого испарения с одной камерой EBE-300

Конфигурация модуля держателя пластин для 24 x Ø100 мм пластин

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

EBE-300 — однокамерная система для осаждения тонких плёнок методом электронно-лучевого испарения на пластины диаметром до 200 мм. Применение в таких областях, как: полупроводники, дисплеи, оптика, фильтры, электронные компоненты, солнечные элементы и т. д. Позволяет работать с различными типами подложек, например, полупроводниковыми пластинами, плёнками, а также подложками из стекла, пластика, металла и других материалов. Работает с групповой загрузкой пластин. Может быть оснащена модулем плазменной очистки, модулями нагрева и охлаждения пластин.

Особенности

Поддержка работы с пластинами диаметром до 200 мм
Держатель, позволяющий размещение большого количества пластин
Привод вращения держателя пластин с регулируемой скоростью
Неоднородность толщин плёнок:

по пластине (WiW): ≤ ± 3 %
от пластины к пластине (WtW): ≤ ± 3 %

Дополнительные функции: дегазация, ионизация, нагрев, охлаждение, плазменная обработка, in-situ контроль процесса
Функция предварительной плазменной очистки (ICP, CCP, линейный ионный пучок, сеточный источник). Возможность выбрать подходящий тип конфигурации в зависимости от используемых подложек и процессов

Данные по процессам

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
Cu	20 об/мин	200 А	A	196.28	196.93	196.18	196.20	196.99	194.99	195.98	196.07	195.13	196.08	194.99	196.99	0.51	0.55
Cu	20 об/мин	200 А	B	196.30	196.97	196.11	196.08	196.78	194.85	196.02	195.85	195.06	196.00	194.85	196.97	0.54	0.55

Данные по процессу осаждения слоя меди на пластины диаметром 100 мм

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
Ti	20 об/мин	50 А	Inner	51.24	51.20	51.50	51.41	51.31	51.42	51.24	51.57	51.50	51.38	51.20	51.57	0.38	0.43
Ti	20 об/мин	50 А	Outer	51.27	51.43	51.55	51.19	51.47	51.13	51.38	51.38	51.50	51.37	51.13	51.55	0.41	0.43

Данные по процессу осаждения слоя титана на пластины диаметром 100 мм

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
Cr	25 об/мин	30 А	A	30.45	30.65	30.78	30.60	30.38	30.52	30.63	30.65	30.39	30.56	30.38	30.78	0.66	0.80
Cr	25 об/мин	30 А	B	30.45	30.52	30.58	30.52	30.30	30.48	30.55	30.54	30.30	30.47	30.30	30.58	0.46	0.80

Данные по процессу осаждения слоя хрома на пластины

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
Ag	20 об/мин	30 А	A	31.74	31.82	31.68	31.92		31.75	31.93	31.93	31.77	31.82	31.68	31.93	0.40	0.51
Ag	20 об/мин	30 А	B	31.68	31.88	31.89	31.92	31.86	31.68	31.94	32.00	31.71	31.84	31.68	32.00	0.50	0.51

Данные по процессу осаждения слоя серебра на пластины диаметром 100 мм

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
AlCu	20 об/мин	130 А	A	131.75	131.53	132.00	131.39	131.42	131.76	131.98	131.72	131.47	131.67	131.39	132.00	0.23	0.31
AlCu	20 об/мин	130 А	B	131.70	131.47	132.04	131.22	131.35	131.50	131.70	131.77	131.66	131.60	131.22	132.04	0.31	0.31

Данные по процессу осаждения слоя алюминия на пластины диаметром 100 мм

Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	Точка измерения и толщина, А									Ср.знач	Min	Max	NU, %
Слой	Вращение	Целевая толщина	Позиция	1	2	3	4	5	6	7	8	9	Ср.знач	Min	Max	WiW	WtW
Au	20 об/мин	30 А	Inner	31.70	31.75	31.65	31.60	31.69	31.60	31.72	31.72	31.65	31.68	31.60	31.75	0.24	0.65
Au	20 об/мин	30 А	Outer	31.66	31.72	31.63	31.74	31.68	31.68	31.77	31.75	31.36	31.67	31.36	31.77	0.65	0.65

Данные по процессу осаждения слоя золота на пластины диаметром 100 мм

Нагрев и охлаждение	Контроль температуры стенок камеры при помощи теплообменника в диапазоне: 25 ÷ 60 ºС
Источник электронно-лучевого испарения	Источник револьверного типа: стандартно 8 тиглей с водяным охлаждением, объем тигля определяется в зависимости от материала и плёнки Источник питания мощностью 8 кВт с напряжением смещения вдоль X/Y осей
Источник ионов	Ионный источник Кауфмана Регулятор расхода газов: Ar, O₂
Вакуумная система	На базе криогенного или турбомолекулярного насоса по запросу Базовый уровень вакуума: 1,0 × 10^-5 Па
Измерение вакуума	Широкодиапазонный вакуумметр Вакуумметр Пирани
Подложкодержатель	Возможность размещения пластин диаметром 3, 4, 6, 8 дюймов. Размещение нескольких пластин на держателе в зависимости от конфигурации и запроса, например: 24 × Ø 100 мм пластин
Контроль осаждения	Кварцевый датчик револьверного типа (QCM) Контроллер системы

Система электронно-лучевого испарения с одной камерой EBE-300

Особенности

Данные по процессам

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование