Фильтр
EPI-P300 — кластерная система, реализующая процесс однородного эпитаксиального роста слоев Si и SiGe методом осаждения из газовой фазы при пониженном или атмосферном давлении на монокристаллических подложках диаметром до 300 мм. Конструкция системы и рабочих модулей обеспечивает прецизионный контроль толщины получаемых слоев. Эпитаксиальный рост может улучшать целостность оксидного слоя КМОП-затворов, уменьшать утечки в каналах и повышать надежность интегральных схем за счет выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев. Оборудование может быть использовано для производства полупроводниковых дискретных устройств и интегральных схем.
EPI-P200SIC — автоматизированная система эпитаксии карбида кремния, реализующая процесс гомоэпитаксиального роста на подложках диаметром 150 мм и 200 мм в единой конфигурации реактора. Установка ориентирована на серийное производство силовых полупроводниковых приборов на основе широкозонных материалов (SiC) с низкими удельными потерями для применений в новой энергетике. Система использует горизонтальный реактор с высокотемпературным нагревом и оптимизированную газодинамику камеры, обеспечивающую однородность по толщине и уровню легирования.
EPI-AN300 — кластерное оборудование для эпитаксиального роста слоёв кремния (Si) и германия (Ge) на подложках диаметром 200 и 300 мм. Поддерживает процессы как эпитаксии при пониженном давлении, так и стандартного роста при атмосферном давлении. Модульная конструкция позволяет конфигурировать установку
EPI-SC200 — серия систем для эпитаксиального роста слоёв карбида кремния (SiC) на подложках диаметром 150 и 200 мм. Системы ориентированы на серийное производство SiC-структур для силовой электроники и энергетики. Используют вертикальный поток газа с многозонной регулировкой и многосекционный нагрев для обеспечения однородности роста.
AIXTRON 2800 G4 — промышленная система газофазного осаждения с использованием металлоорганических прекурсоров (МОС-гидридная эпитаксия, MOCVD). Разработана для высокопроизводительного выращивания гетероструктур на пластинах диаметром до 8 дюймов. Может быть сконфигурирована под конкретные материалы и задачи: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитрид галлия (GaN). Платформа построена с использованием реактора планетарного типа с горизонтальным потоком газа, что обеспечивает высокий контроль толщины и точность состава слоев. Может применяться в области оптоэлектроники (лазерные диоды, детекторы, светодиодные чипы), СВЧ-электроники (усилители мощности для базовых станций и радаров), солнечных ячейках и батареях.
MEpi-450 – система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений с ручным перемещением образцов. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, что позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, а также исследовать структуры благодаря возможности интеграции систем in-situ измерений.
MEpi-450A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 3″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации
MEpi-650 — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, имеет компактную конструкцию, а также прекрасные показатели производительности.
MEpi-650A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 4″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.
MEpi-650E — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений при работе с 6″ пластинами. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, обладает компактной и гибкой конструкцией
MEpi-650EA — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 6″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.
MEpi-960A — экономичная, эффективная и высокопроизводительная производственная система молекулярно-лучевой эпитаксии, поддерживающая рост на пластинах диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2. По сравнению с MEpi-650A стоимость производства 4″ пластин снижается более чем на 40 %.
MEpi-1300L — система молекулярно-лучевой эпитаксии для крупносерийного производства пластин диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. Полностью автоматизированные операции обеспечивают легкий и надежный контроль за процессом. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2.