Фильтр
PEP1600 — установка для получения кремниевых слитков диаметром до Ø300 мм. Нижняя камера размером Ø1600 мм позволяет использовать тепловой узел до Ø42″.
IP400-SiC — установка для выращивания слитков SiC диаметром до 8 дюймов методом PVT с индукционным нагревом. Обеспечивает условия для выращивания высокоомного и низкоомного карбида кремния высокого качества.
KP900 — специализированное оборудование для выращивания слитков сапфира методом Киропулоса.
CP1400 — установка выращивания полупроводниковых слитков. Позволяет получать бездислокационные части кремния высокого качества для производства пластин микроэлектронного уровня.
CP1300K — установка, одна из первых в мире оптимизированная для выращивания
CPC1400 – оборудование для непрерывного выращивания слитков кремния и других материалов. Метод CCz – усовершенствованная версия классического метода Чохральского, позволяет выращивать слитки с высокой однородностью удельного сопротивления вдоль длины и более точным контролем параметров.
CPGe760 — установка выращивания слитков германия. Позволяет получать бездислокационные части высокого качества для производства германиевых пластин и оптических элементов.
GFZ2500 — установка для выращивания полупроводниковых слитков методом бестигельной зонной плавки (Floating Zone method, FZ). Применяется для проведения исследовательских работ, а также для производства и рафинирования кремниевых слитков ради получения монокристаллических изделий высокого качества, в том числе уровня силовых полупроводников.
MEpi-450 – система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений с ручным перемещением образцов. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, что позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, а также исследовать структуры благодаря возможности интеграции систем in-situ измерений.
MEpi-450A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 3″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации
MEpi-650 — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, имеет компактную конструкцию, а также прекрасные показатели производительности.
MEpi-650A — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 4″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени. Проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.
MEpi-650E — система молекулярно-лучевой эпитаксии для научно-исследовательских применений при работе с 6″ пластинами. Имеет гибкую конфигурацию различных типов эффузионных источников, позволяет проводить эпитаксиальный рост различных материалов и их стеков, таких как: арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитриды и оксиды. Проста в эксплуатации и обслуживании, обладает компактной и гибкой конструкцией
MEpi-650EA — полностью автоматизированная система для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках диаметром до 6″ для опытного и мелкосерийного производства. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, проста в эксплуатации и обслуживании благодаря автоматизации.
MEpi-960A — экономичная, эффективная и высокопроизводительная производственная система молекулярно-лучевой эпитаксии, поддерживающая рост на пластинах диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2. По сравнению с MEpi-650A стоимость производства 4″ пластин снижается более чем на 40 %.
MEpi-1300L — система молекулярно-лучевой эпитаксии для крупносерийного производства пластин диаметром до 8″. Оснащена системой мониторинга in-situ для контроля состояния роста в реальном времени, а также источниками большой ёмкости для проведения долгих процессов роста. Полностью автоматизированные операции обеспечивают легкий и надежный контроль за процессом. По надёжности, стабильности и экономичности соответствует требованиям, установленным в Semi S2.