Система ионной имплантации HVE Tandatron

ООО «Остек-ЭК»
Молдавская ул., д. 5, стр. 2, г. Москва, Россия, 121467
Тел.: +7 (495) 788-44-44, факс: +7 (495) 788-44-42,
www.ostec-group.ru, info@ostec-group.ru
ИНН 7731481077, КПП 773101001,
ОГРН 5147746189070, ОКПО 17182643

Система ионной имплантации HVE Tandatron

Добавить в лист запросов запросить в один клик Заказать звонок

Печать/PDF

Описание
Технические характеристики

Система ионной имплантации на высоких энергиях HVE Tandetron, предназначена для проведения процессов ионного легирования полупроводниковых структур на малых, средних и больших токах и различных исследований.

Особенности

Превосходная фокусировка энергии;
Сверхмощные и сверхвысоковольтные источники генерации;
Высокая энергия ионов (до 6,0 МэВ);
Различные источники ионов — широкая номенклатура ионов;
Высокое разрешение масс ионов 1:190;
Полностью автоматический контроль.

Модель	Tandetron
Энергия однозарядного иона	0,1-6,0 МэВ
Ток пучка	до 150 мкА
Диапазон доз	обговаривается при заказе
Угол имплантации	обговаривается при заказе
Диаметр обрабатываемых пластин	до 200 мм
Разрешение масс ионов	1:190

Система ионной имплантации HVE Tandatron

Особенности

Запросить в один клик

Заполните форму

Запрос оборудования на тестирование